一、国产存储封测版图与技术进展

2026年上半年，我国集成电路出口1772.8亿美元，同比增长96.1%，创半年度新高。6月单月出口382.1亿美元，集成电路首超汽车成为当月第一大出口商品，高附加值芯片成为外贸增长的新引擎。

国产存储需求向后道传导，谁能承接增量？本文以中报、项目公告与技术披露比较能力、产能和利润。国产存储厂商外包比例及供应商份额未充分公开，不据传闻分配订单。

 图1  国内存储封测代表性参与者：公开能力覆盖与产能口径。图源：依据各公司中报、项目公告及官网公开资料整理绘制

图1记录公开能力覆盖，并非市占率排名。各家产能分别以晶粒、芯片、晶圆、Gb等计量，不能直接换算或按横条长度排名。

 表1｜第三方及专线型存储封测主体

表2｜自封、参股、外协与规划型参与者

沛顿与通富通科均有上市母公司中报、明确封测平台和可量化项目，适合对比。其他参与者兼有第三方、产品配套、参股及外协模式，宜作位置参照。

从传统DRAM/NAND到HBM2、HBM3、HBM4和HBM5

 图2

传统DRAM/NAND通过减薄、叠Die、线焊、塑封和植球连接芯片与基板；高堆叠提升容量，也提高薄片处理、线弧、翘曲和测试要求。

HBM2/3以TSV和微凸点连接DRAM堆栈，再与计算芯片组成典型2.5D系统。两代均采用1024位接口，难点扩展到良品芯片筛选、对准、散热和堆叠前后测试。

HBM4扩大至2048位接口，强化逻辑基底与系统协同。HBM5在本文资料口径下属于路线图与展示模型，不能当作已有国内收入的成熟产品。

国内成熟主线仍是BGA、MCP/PoP、高堆叠线焊与测试；先进互连须逐项区分量产、验证和研发。某一环节突破不等于具备HBM端到端量产能力。

二、深科技vs.通富微电：2026H1中报业绩对比

图3  2026H1集团营收、归母净利润与扣非净利润。图源：依据深科技、通富微电《2026年半年度报告》整理绘制。

表3｜两家上市公司核心财务指标（亿元；增速除外）

通富集团收入和归母利润规模领先，但非经常性损益约9.70亿元，占归母净利润56.5%；扣非后两家为7.47亿元对5.04亿元。集团增长不能替代存储专项增长。

深科技：存储收入近乎横盘，毛利额约增70.6%

深科技存储收入21.38亿元，仅增1.83%；毛利率升至22.72%，同比提高9.16个百分点，测算毛利额约4.86亿元、增70.6%。当期亮点是利润率修复，不能全部归因于订单数量。

通富微电：本土需求强，存储专项增速未披露

通富未单列存储收入、增速或毛利率。全部集成电路封测收入增24.08%、境内主营收入增48.87%，只能说明集团及本土业务扩张。

图4  深圳沛顿与通富通科的H1收入与净利润。图源：依据两家公司《2026年半年度报告》的主要子公司财务数据整理绘制。

表4｜存储相关主体财务指标与口径边界（亿元）

深圳沛顿36.73亿元收入与深科技21.38亿元存储分部口径不同，不能相加。通富通科11.39亿元为子公司整体收入，含非存储业务，不能全部认作存储封测收入。

三、沛顿vs.通富通科：兑现力、扩张力与技术布局

图5 两类存储封测平台的制造主线与公开边界。图源：依据深科技、通富微电《2026年半年度报告》技术与经营披露整理绘制。

表5 沛顿与通富通科的技术、财务和扩产对比。

沛顿：存储专门化带来更清晰的利润链

沛顿覆盖DRAM、NAND与嵌入式存储，产品包括DDR、LPDDR、UFS和uMCP，具备多层叠封及测试开发能力；中报披露晶圆级封装良率稳定、多项技术通过客户认证。

沛顿技术拆解：从高堆叠存储走向晶圆级封装

多层叠Die以薄片和线焊增加单位面积容量，关键是贴装、线弧、塑封应力与整包良率。PoP叠放封装体；uMCP组合闪存、控制器与低功耗DRAM，二者属于不同集成层次。

倒装FC以凸块连接芯片有源面与基板；WLCSP在晶圆状态完成凸块及必要的RDL，再测试、切割。相较线焊，工艺重心增加了光刻、电镀和界面控制。

官网公开2/4/8/16 Die叠封能力；2021年演讲提出Bumping、WLCSP、3D TSV规划。历史规划不等同当期量产，具体工艺参数及专项收入仍应以最新披露为准。

图5-1 沛顿存储封装架构原理：叠Die、PoP、倒装与晶圆级封装。图源：依据沛顿官网封装能力、CFMS公开技术演讲绘制；非企业原图，结构不按比例，历史规划不代表当前全部量产。

通富通科：专项存储项目嵌入综合OSAT平台

通富H1完成LPDDR 16DP、rNAND 64DP技术方案，VFO首次工程样交付、VCS全线工艺验证，并布局混合键合。这些属于集团披露，未逐项归属于通科。[4]

通富通科可明确确认的角色是存储专项扩产主体，项目覆盖Flash与DRAM；集团平台优势能否转成其存储利润，仍需客户认证和产能爬坡。

通富技术拆解：VISionS如何连接算力与存储

VISionS覆盖HPC、Memory与SiP。其硅中介层、垂直堆叠和嵌入式多桥接支持Chiplet组合；下图是集团技术平台，不是通科独立量产目录。

 图5-2 通富微电VISionS先进封装平台：HPC、Memory与SiP的技术组合。图源：通富微电VISionS平台公开技术资料；图中应用标签不代表通富通科已逐项量产。

硅中介层提供密集布线，局部桥接连接相邻芯片，垂直堆叠利用厚度方向。将存储堆栈接入计算系统与制造堆栈本身，是不同工艺任务。

薄Die Hybrid SiP双面封装与CPO已通过可靠性验证，PIC/EIC集成面向1.6T及以上光互连。相关进展体现集团技术宽度，不能直接计入通科存储收入。

Hybrid SiP不等于Hybrid Bonding：后者以铜与介质直接键合实现密集互连，强调洁净度、平坦度和对准；通富将其列为前沿研发。

通富存储封装：高堆叠与垂直互连分别走到哪一步

16DP/64DP指封装内裸Die数量，既非NAND存储单元层数，也非HBM代际；技术方案开发完成不等于规模量产。VFO/VCS属于垂直打线方向，与TSV不同。

“3nm量产、2nm研发”对应通富超威苏州及槟城为相应制程芯片提供封测配套，不是封装线宽，也不是通科存储芯片制造节点。

四、扩产何时变利润：项目节点与产能爬坡

 图6 深科技与通富存储封测项目的建设节点与有效产能链条。图源：项目节点与产能依据深科技扩产公告、通富微电募集说明书；有效产能链条为本文分析示意。

表6 深科技与通富公开存储封测投资项目及规划产能。

深科技两项目税前回收期为8.63年、8.84年，建成后的利润取决于认证、利用率与良率。通科三年建设期不能直接换成固定满产年份；通富H1长期资产购建支出51.99亿元为集团口径。

五、谁在承接增量

未来12至24个月，国产存储封测的盈利弹性主要来自四条线：国产存储厂商产出增长与外包率变化；高堆叠、PoP、复杂测试带来的单位加工价值提升；新产能利用率上升对固定成本的摊薄；先进互连和系统级封装从验证走向可计量收入。

深科技：当期存储利润可验证性更强

21.38亿元存储分部收入、22.72%毛利率、约4.86亿元毛利额，以及深圳沛顿1.79亿元净利润，构成了目前最完整的业务—利润证据链。深科技不是集团规模最大的封测公司，却是本题中最容易证明存储业务已经兑现盈利的平台。

通富微电：规模、技术宽度与未来弹性更强

160.41亿元集团收入、LPDDR 16DP与rNAND 64DP方案、VFO/VCS及混合键合储备，加上通富通科84.96万片/年规划产能，使通富拥有更大的增量选择权。但在公司首次单列存储收入、毛利率和利用率之前，这仍然是能力与项目结论，不是存储业绩冠军结论。

深科技当前兑现度领先，通富未来选择权更大；绝对订单冠军没有公开证据。