第四届功率半导体与先进封装测试创新高峰论坛

为促进功率半导体和先进封装领域的学术交流与产业合作，探讨最新技术进展、工艺优化及未来发展方向，半导体在线将于2025年9月18日在无锡市组织召开第四届功率半导体与先进封装测试创新高峰论坛，欢迎参会、参展等合作。

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近期，华为旗下海思技术有限公司进军碳化硅功率器件领域，首批推出两款TO-247封装1200V SiC单管，面相工业高温、高压场景场景。

海思1200V SiC器件

海思ASO1K2H020M1T4

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海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻20mΩ，而在175°C高温下也可维持30mΩ超低导阻，栅极电荷185nC，最高可通过100A电流（25℃）。

海思ASO1K2H035M1T4

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海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻35mΩ，而在175°C高温下也可维持57mΩ导阻，栅极电荷108nC，最高可通过100A电流（25℃）。

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海思此次推出1200V SiC器件，源于华为长期以来在碳化硅领域的战略性投入和全产业链布局。自2019年4月23日成立哈勃科技投资有限公司以来，华为便致力于通过战略投资，加速其在半导体及相关前沿技术领域的生态建设。

从2019年8月起，哈勃科技投资便持续发力，全面布局碳化硅产业链的各个环节。衬底环节投资山东天岳先进（持股 10%）和北京天科合达；外延片环节投资东莞天域半导体；器件设计与制造及电力电子解决方案环节投资东微半导体、瀚薪科技、英飞源、杰华特微电子、易冲半导体等。

海思此次推出的1200V SiC单管，凭借其在高温高压场景下的性能，丰富了自身在功率器件领域的产品线，更为工业及汽车电子等行业提供了高效可靠的解决方案。这一举措彰显了海思在宽禁带半导体领域的技术实力与市场布局，有望推动碳化硅功率器件在更多高端应用中的普及，加速产业升级与技术创新，对于提升我国在半导体关键领域的自给率和竞争力具有重要意义。

来源：充电头网

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