
集邦咨询今日发布最新半导体先进封装产业研究,随着GPU厂商、超大规模云计算服务提供商(CSP)持续开发更强大、功能多元的AI芯片,2.5D封装技术的一项发展重点即为扩大封装面积。其中,台积电CoWoS-L尽管面临英特尔EMIB-T的竞争,但凭借其技术成熟度与良率优势,预计至2028年仍将是AI芯片的主流封装方案。
集邦表示,在强劲的AI需求支持下,英伟达积极推动芯片用量高的整合型GB/VR机柜方案,预估2026年其高端GPU出货将同比增加约30%。AMD则于2026年下半年起力推MI400/MI450,注入整体出货量。
CSP自研ASIC部分,2026年出货量与动能将以谷歌最强,预计其TPU v7为主力产品。AWS同样积极发展,2026年下半年开始其芯片、AI服务器系统已逐步往Trainium v3推进。微软、Meta目前仍以GPU服务器为主,ASIC规划量能较小。
集邦指出,过去AI服务器芯片主要采用台积电CoWoS-S封装技术,以硅中介层集成HBM与算力芯片(compute die),实现生成式AI应用所需的算力性能。然而,在芯片面积持续扩张、需要集成更多HBM模块的情况下,硅中介层制造面临物理极限,除改变中介层材质外,也需转向光刻掩模版曝光倍数更大的CoWoS-L解决方案,通过中介层嵌入高速传输的硅桥(si bridge)芯片,更灵活地解决compute die与HBM封装、传输问题。
具体而言,CoWoS-S技术可集成2个SoC/Chiplet及8个HBM模块,将持续获得微软Maia 200等ASIC采用。但需要集成更多SoC/Chiplet及HBM模块时,就需要使用CoWoS-L方案。目前,英伟达及AMD AI加速卡已采用CoWoS-L;AI ASIC除Meta 2026年量产的MTIA 400外,预估2027年AWS、微软也都将导入CoWoS-L技术。
然而,CoWoS-L提升单芯片更大的中介层尺寸抬高了芯片封装成本,加上台积电产能供不应求,促使英特尔EMIB技术成为备选。EMIB方案减少了昂贵的中介层,整体成本有望降低,但封装模块性能受限于基板布线密度;英特尔除强化Line/Space (L/S)、microbump规格外,也开发EMIB-T等进阶方案,通过导入TSV缩短信号路径,强化EMIB模块性能。
集邦观察,除了谷歌有望于2027年导入EMIB-T封装,AWS也正测试EMIB技术。虽然EMIB-T和CoWoS-L为竞争方案,但考虑技术成熟度、良率,后者至2028年仍是AI芯片采用的主流封装技术。
原文链接:
https://www.thelec.net/news/articleView.html?idxno=14006
(来源:编译自udn)
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