台积电最新扩产计划：2/3nm全面提速

AI 算力需求仍在快速攀升，全球最先进晶圆厂也进入新一轮扩产周期。供应链消息指出，台积电近期首度向设备与材料伙伴揭露 2027 年中期的 2 纳米、3 纳米扩产规划，要求供应链同步提升产能，为未来两年的 AI 芯片需求提前布局。

根据规划，2 纳米月产能将由 2026 年底约 9 万片提升至 2027 年中 11 万片，半年内增长约 22%；3 纳米则由超过 18 万片扩大至 21 万片，增幅超过 16%。这意味着台积电最先进两代制程将在未来半年新增约 5 万片月产能，成为历来规模最大的先进制程扩张之一。

值得注意的是，3 纳米并未因 2 纳米量产而退居二线。相反，随着英伟达、AMD、苹果、高通及云端 ASIC 客户持续推出新产品，3 纳米依旧是目前出货量最大的先进节点。数据显示，台积电 3 纳米月产能已从 2025 年底的约 12–13 万片，一路提升至今年底 18 万片，预计 2027 年中突破 21 万片，短短一年半累计扩产近七成。

而真正决定未来竞争格局的，则是 2 纳米。

相比 3 纳米首次导入 FinFET，2 纳米（N2）首次全面采用 GAAFET（环绕式栅极晶体管）架构，在相同功耗下可提升约 10% 至 15% 性能，或在相同性能下降低约 25% 至 30% 功耗，并进一步提高晶体管密度。这也是苹果、英伟达下一代 AI GPU、数据中心 CPU 以及大量 AI ASIC 最重要的制造平台，因此客户投片需求远高于历代新制程。

为了支撑扩产，台积电资本支出仍维持高位。公司此前预计 2026 年资本支出将达到 600 亿至 640 亿美元，其中约七至八成投入先进制程，包括台湾宝山、高雄，美国亚利桑那以及日本等多个生产基地。同时，台积电也持续将原有 5 纳米产线转换为 3 纳米设备，以最快速度释放成熟厂房价值，降低新厂爬坡压力。

扩产之外，台积电已经把目光放到 2 纳米之后的埃米时代。公司正推进 A16、A14、A13、A12 等下一代制程，其中最关键的变化来自 High NA EUV 光刻。

此前，台积电与 ASML 已共同宣布启动 12 英寸光罩（Mask）计划，准备将 High NA EUV 从沿用数十年的 6 英寸光罩体系升级至更大的 12 英寸平台。光罩尺寸扩大不仅意味着曝光面积增加，更关系到未来大型 AI 芯片能否在更高良率下制造，业内普遍认为这是埃米时代的重要基础设施升级。

与此同时，比利时微电子研究中心 imec 也公布最新突破：联合 ASML 与材料供应商，利用现有化学放大型光阻（CAR），成功完成 22 纳米间距导线的 High NA EUV 单次曝光，并验证多种接近真实芯片的复杂金属层结构。这项成果意味着 CAR 光阻并不会随着 High NA 到来立即被淘汰，而是有机会继续支撑 A14 乃至 A10 部分关键层的制造，大幅降低产业导入新材料的成本与风险。

从 3 纳米持续放量，到 2 纳米快速爬坡，再到 High NA EUV 与 12 英寸光罩提前铺路，台积电扩张的已不仅是产能，更是在为未来十年的 AI 芯片制造建立新的工业标准。