英特尔公开Micro‑LED玻璃基封装技术

艾邦半导体网 2026-09-18 18:10

英特尔公开Micro‑LED玻璃基封装技术图1

近日,英特尔公布了一项2022年提交的技术专利。该专利披露了一种集成Micro LED的IC封装结构:半导体裸片内嵌于玻璃基板之中,玻璃基板内的TGV(玻璃通孔)直接为裸片上的Micro LED供电,再经封装基板连接主板。

英特尔公开Micro‑LED玻璃基封装技术图2

根据专利描述,这些Micro LED可采用纳米线结构,能分别发出红、绿、蓝三色光,用途包括DIY电子产品的个性化装饰、封装内部的电性测试指示,以及可在CPU表面呈现发光字样,为芯片增添功能指示与美学卖点。

制造流程上,先在玻璃基板上以激光诱导加化学蚀刻形成通孔与裸片腔体,再经电镀填充铜形成TGV,随后将带Micro LED的裸片嵌入腔体,两侧以氮化硅层粘合聚合物封装基板,完成信号与供电的垂直互连。专利还给出了裸片横置、纵置以及加装反射镜等多种结构变体。

值得注意的是,英特尔长期对玻璃基板技术进行投入布局。英特尔自2013年起研究以玻璃替代有机基板,累计积累了大量专利,并于2023年率先发布玻璃基板样品。

今年其商业化明显提速:1月在NEPCON Japan展出“厚玻璃芯+EMIB”工程样品,实现约78×77毫米大尺寸封装无微裂纹切割;6月的ECTC 2026上,英特尔公布玻璃芯基板量产级技术验证,完成从通孔制备、金属化、多层布线到光电融合的全流程贯通,其无缺陷24层结构及翘曲控制数据成为行业焦点。

生态合作也在铺开,今年7月,蓝思科技全资子公司与英特尔签署合作备忘录,将TGV先进封装列为合作重点。

英特尔输出架构信息、DFM指南与验证方法,蓝思承担穿孔成型、高精度激光加工、金属化沉积与多层互连布线,其百万级通孔0ppm不通率样品已送样北美与韩国客户验证。

此外,今年5月,英特尔还联手美国半导体技术公司3DGS在印度推进约33亿美元的玻璃基板工厂,规划年产能约为7万片玻璃基板、5000万个组装单元,以及近1.3万个先进3D异构集成模块,面向AI芯片、高性能计算的大尺寸、高密度封装需求,项目预计2028~2030年实现规模化出货。

来源:LEDinside等,侵删

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