Intel真的要YES了啊！
投资银行Piper Sandler发布的最新研究报告称，Intel 14A 1.4nm级工艺虽然还没有公开已知、完全确定的核心大客户，但是全球诸多科技巨头都在进行评估。
这份报告非常乐观，称亚马逊、苹果、AMD、谷歌、特斯拉、微软、NVIDIA、高通等都在评估Intel 14A。
当然，评估绝不等于确定下单，只是很感兴趣而已。
那么，为什么大家集体对Intel Foundry如此感兴趣？
原因很简单，一则如今半导体制造普遍过于依赖台积电一家，特别是在AI驱动下，台积电2028年的产能都被预订一光，2029-2030年的供应也会严重受限，因此各家都迫切希望找到另一个可靠的代工厂。
二则技术考量之外，这些美国芯片巨头都希望拥有美国本土的制造产能。
三则Intel虽然近些年颇为坎坷，但技术实力雄厚，如今无论产品还是工艺的进步都有目共睹。
你说三星？既不太靠谱，也不是美国工厂，Intel自然就成了香饽饽。
事实上，Intel Foundry成立之初，时任Intel CEO基辛格就坦承，微软已经成为Intel Foundry的客户，Intel还希望服务于NVIDIA、高通、谷歌，甚至是AMD等等，并将对所有客户一视同仁，保护他们的IP和供应链。
就在今年8月中旬，大型投行瑞银（UBS）的分析师认为，，采用Intel EMIB-T嵌入式多芯片互联桥（带TSV硅通孔）先进封装技术，另外谷歌、苹果、SpaceX也将签约Intel代工。
NVIDIA方面，广发证券的最新研报称，Intel有可能与NVIDIA合作开发、生产AI CPU，也会给英特尔带来利好。
根据此前消息，Intel 14A工艺在2026年6月的缺陷密度（D0）为0.5，目标是到2027年第一季度降到0.2-0.1区间，，量产时间有望大大提前，预计2028年上半年。
缺陷密度代表晶圆单位面积上检测到的微观瑕疵数量。只有缺陷密度大幅下降到合理水平，最好低于0.1，一套新工艺才能将保证足够高的晶圆和芯片良率，从而投入大规模的商业化量产。
Intel高管David Zinsner也公开表示，14A工艺的改进速度，是自2012年的22nm节点以来最快的一次。
就在近日，Intel官方确认，Intel 14A的风险性试产已提前到2027年第二季度，而最终量产也提前到了2028年第一季度。
要知道，Intel 14A的风险性试产最早计划2028年才会启动，后来提前到2027年下半年，如今再次提前，证实其进步速度确实非同一般。
目前，Intel最先进的Fab 62晶圆厂已经基本完成了主体厂房建设，未来将用于Intel 14A工艺的生产。
广发证券认为，Intel 14A的月产能在2027年可达约6000块晶圆，2028年量产后有望达约2.4万块。
要想要落地这么大的产能，Intel应该还需要约100亿美元，用于设备采购等。
“巧合”的是，Intel 8月份宣布计划募资约150亿美元，第二天就增至200亿美元。
Intel对这笔资金的具体用途描述非常笼统，只是说“本次募资用于抓住未来增长机遇，同时维持稳健资产负债表，并守住投资级信用评级。”
但是，Intel CEO陈立武曾明确表态，只有在14A工艺锁定大规模订单之后，才会批准Intel Foundry大规模扩产。
多重因素互相印证，可以言之凿凿地认为Intel 14A工艺已经搞定了不止一家大客户的订单，只是因为保密原因目前不能公开而已。
顺带一提，台积电也有自己的A14 1.4nm级工艺，也在全力加速，有望2027年量产。
Intel 14A进展如此神速，核心原因就是18A的积累。
18A作为Intel第一代集成RibbonFET GAA全环绕栅极、PowerVia背面供电技术的工艺节点，已经攻克了最棘手的技术难题，完成了试错和优化，直接大幅降低了14A的技术风险和试错成本。
14A作为优化版本，升级第二代RibbonFET全环绕栅极晶体管，对极小尺寸晶体管实现更强的静电控制，提升驱动电流，把漏电降到最低。
同时引入PowerDirect直接背面触点供电技术，供电线路整体挪到晶圆背面，正面布线全部留给信号传输，从而降低电路电阻、提升集成密度。
14A还会全面采用High-NA EUV光刻机制造，并引入Turbo Cells增强型标准单元技术，可在同一设计模块中灵活组合高性能单元、高能效单元，从而根据需求在功耗、性能和面积（PPA）之间实现更精准的优化平衡。
就在7月底，楷登电子（Cadence）、新思科技（Synopsys）、西门子（Siemens）三大EDA巨头同时宣布，都已经完成对14A工艺的适配。
另外，分析称Intel 18A工艺的良品率正在持续改善，已达到约80%-85%，数据来自Panther Lake/Wildcat Lake系列酷睿处理器，明年还将用于代号Diamond Rapids的下一代P核版至强。
Intel 18A-P工艺也已经进入风险试产阶段。
作为18A的首个性能增强版，它在晶体管、互连、设计技术上进行了一系列协同优化，新增Power Boost能效增强技术等，预计相同功耗下性能可提升9％，相同性能下功耗可降低18％。
同时，通过材料和设计创新将热阻降低20-40％。利用几何和材料优化将过孔电阻（芯片各层之间的垂直连接）降低10-30％
还有Intel 18A-PT，专为设计下一代3D IC芯片设计，尤其是AI、HPC应用，进一步扩展先进封装与集成能力。
它将采用升级版的后端金属互连堆栈，支持硅通孔（TSV）、裸片到裸片硅通孔（die-to-die TSV）、先进混合键合接口（HBI）。
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