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拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目。
9月28日晚，长鑫科技发布《关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告》称，拟使用超募资金人民币130.00亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金人民币50.00亿元，由其投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。
据了解，长鑫科技首次公开发行人民币普通股（A股）7,691,301,608股（含超额配售选择权全额行使），募集资金总额为人民币6,660,667.19万元，扣除发行费用（不含增值税，含印花税）人民币29,627.82万元，募集资金净额为人民币6,631,039.38万元。公司对募集资金采取了专户存储制度，设立了相关募集资金专项账户。募集资金到账后，已全部存放于经公司董事会批准开设的募集资金专项账户内，公司与保荐机构、存放募集资金的商业银行签署了募集资金监管协议。
加速迭代，满足下游需求与技术范式转变
技术研发项目计划投资总额为241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130.00亿元。据了解，项目投资建设期为30个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。本项目为研发项目，不单独进行投资回报测算，本项目最终产生的经济利益，是通过技术赋能公司主营产品，促进公司主营业务增长表现出来的。项目建成后将推动技术创新突破，加速科技成果转化，带动产业升级。本项目的实施，有利于公司进一步保持和增强技术研发实力，有助于增强公司的市场地位，提升公司整体核心竞争力。
关于技术研发项目的必要性，长鑫科技称，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚护城河、提升抗风险能力的必由之路。因此，公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，也有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
保障后道测试产能，完善IDM模式
长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目计划投资总额为108亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额50.00亿元。据了解，项目投资建设期为37个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。经测算，项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。有利于促进公司进一步完善IDM运营模式，实现从前道至后道的产业链整合，有利于解决公司新增测试产能不足问题，保障后道产能供应链安全，有效降低测试成本，提升公司整体运营能力，从而提升公司整体核心竞争力。
关于存储器晶圆后道测试基地二期项目的必要性，长鑫科技称，测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。
作为中国DRAM产业链的链主企业，基于自身强大的产业影响力，长鑫科技已与上游供应商和下游客户建立了紧密的战略合作关系，共同构建了相互依存的产业生态，为业务持续发展并积极参与全球竞争奠定了坚实的基础。
经过长期发展，长鑫科技与上游EDA厂商、材料厂商、设备及零部件厂商等供应商建立了稳固的合作关系，并通过深化产业链合作，增强了供应链的安全保障能力，为本次超募项目的顺利实施提供了充分保障，并为产能持续扩充和技术工艺升级提供了有力支撑。
