展商推介 | 中科飞测诚邀您莅临2026湾芯展

深圳中科飞测成立于2014年，公司始终坚持自主研发和自主创新的原则，依托多年在光学检测技术、大数据检测算法和自动化控制软件等领域的深耕积累和自主创新，公司得以向集成电路前道制程、先进封装等企业以及相关设备、材料厂商提供关键质量控制设备。质量控制设备是芯片制造的核心设备之一，公司检测和量测设备能够对上述领域企业的生产过程进行全面质量控制和工艺检测，助推客户提升工艺技术，提高良品率，实现降本增效的目标。

该系列设备主要应用于晶圆纳米级的单/多层膜、金属膜的膜厚测量，采用椭圆偏振技术和光谱反射技术实现高精度薄膜膜厚、n-k值的快速测量。主要应用在集成电路前道领域。

产品特点：

1. 高精度、高重复性膜厚测量，全面覆盖多种工艺需求，宽光谱椭偏仪、激光椭偏仪、反射式膜厚仪、应力等多种非接触光学探头可选，满足各种量测场景需求；

2. 全自动量测任务下发及结果上报，节约人力成本；

3. 多维度量测结果评价与展示，直观展示工艺问题；

4. 配置离线分析和批量导入，节约机台使用时间。

该系列设备主要应用于集成电路光刻工艺套刻误差测量，基于全新的高分辨率成像系统与先进工件台和可切换照明系统实现更快速和准确的套刻测量，通过将数据建模并反馈给光刻机以帮助光刻机优化不同层之间的光刻图案对齐误差，最终达到提高套刻对准精度的目的。

设备特点：

1. 高分辨率成像系统和先进工件台实现超高套刻测量精度，层间量测条件优化切换和纳米级分辨率可调波长保障全面覆盖多种工艺需求多样化工作模式，确保工艺波动下的鲁棒性；

2. 预防性诊断和自动校准，保障设备稳定运行；

3. 多参数的Recipe自动评价和优化，及数据集中管理，节约人力成本；

4. 先进算法在机台端配合验证套刻目标设计，实现制程稳定性；

5. 多维度测量结果评价和展示，快速聚焦工艺问题。

该系列设备基于先进的DUV暗场散射平台，配备自适应光瞳滤波系统与high NA镜头，收集晶圆表面缺陷各空间角度的散射光，搭配高速TDI相机和强大算法。该系列设备可用于快速高效地检测图形晶圆加工过程中的各类缺陷，满足国内先进集成电路前道工艺和先进封装等场景的暗场纳米图形缺陷检测需求，应用于国内多家主流芯片客户，关键技术全部自主可控，性能对标行业TOP机型。该系列设备的推出填补了国内产品空白，打破了国外垄断，并逐步实现国产替代。

产品特点：

1. DUV激光暗场线扫描与线探测平台；

2. 多通道大数值孔径高分辨成像系统；

3. 高速背照式TDI探测系统；

4. 高速高精度气浮运动平台；

5. 高速自动对焦与闭环反馈控制系统；

6. 自适应光瞳成像与滤波系统。

该系列设备基于光学成像的原理对有图形晶圆进行检测，利用不同特性（光强、偏振、角度）的光照明并收集从晶圆表面反射/散射的光，通过最终成像在光电探测器上的图像进行缺陷的检测和分类。其适用于经过光刻、刻蚀、沉积等关键工艺后形成纳米结构图形的晶圆，其缺陷不仅包括纳米颗粒、凹陷、突起、刮伤、断线、桥接等表面缺陷，还包括空洞、材料成分不均匀等亚表面和内部缺陷。该系列设备主要用于缺陷发现、制程弱点发现、制程调试、工程分析、生产线监控和制程窗口发现等应用，还支持定制化服务与未来技术升级，从而保障芯片生产线的稳定性和产品良率。

产品特点：

1. 适用于集成电路前沿工艺；

2. 超高功率的激光激发等离子体光源；

3. 提供多种灵活可选的检测模式；

4. 基于设计版图文件的高精度感兴趣区域定位；

5. 基于GPU集群的高通量缺陷检测算法；

6. 提供基于规则或深度学习的缺陷分类和过滤功能。

该系列设备为全自动化的无图形晶圆表面缺陷检测设备，提供先进的缺陷计数、空间分布和缺陷分类功能，检测表面类型覆盖Bare, Oxide, Nitride, Metal等。设备使用激光以多角度照明至晶圆表面，并通过样品台的多维运动实现全样品表面的快速扫描，综合分析缺陷图像，可检测出缺陷的具体类型和尺度。

1. 支持SECS/GEM SEMI标准，完美兼容工厂自动化系统；

2. 提供无与伦比的可靠性与拥有成本；

3. 覆盖集成电路前道先进工艺节点的颗粒污染检测需求；

4. 全面覆盖芯片客户、大硅片客户及半导体设备客户的颗粒污染检测需求；

5. 全面覆盖2~12寸晶圆及III/V族化合物半导体颗粒污染检测需求。

该设备为高深宽比刻蚀结构的高精度、非破坏量测设备，提供关键尺寸、二维倾斜度Overlay等多个参数量测解决方案,适用于3D-NAND、DRAM/3D-DRAM、高深宽比刻蚀工艺的表征。设备使用X射线穿透晶圆结构，样品台的多维转动实现对芯片结构的三维量测。

设备特点：

1.多参数、高精度、非破坏的芯片结构三维全貌量测；

2.更高深宽比的刻蚀结构，更高的量测能力；

3.支持多参数的同时量测，参数之间具备低耦合性；

4. 支持高深宽比刻蚀过程量测；

5. 支持在线量测，快速的量测结果反馈；

6. 支持SECS/GEM SEMI标准，支持工厂自动化系统。