AI数据中心电源架构切换窗口开启：长飞先进以SiC全栈方案赋能800V架构

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）在 AI 技术爆发式增长的浪潮下，算力需求的井喷正倒逼电源系统向高效化、高密度化方向加速演进。作为国内碳化硅功率半导体领域的领军企业，长飞先进敏锐捕捉到这一产业变迁脉搏，于日前在深圳举办的 “Everest巅峰之上・跨越四年的技术长征” 技术发布会及湾芯展上，重磅发布面向 AI 数据中心的新品矩阵。

从芯片到模块，从技术突破到生态共建，长飞先进正以先进的碳化硅技术重新定义能源效率边界，为 AI 算力时代构筑坚实的物理底座。

面向 AIDC 的新品：从 750V/1200V 单管到集成 SHB 三电平的 SST 模块

此次发布会，长飞先进面向 AI 数据中心领域发布多款新品。其中，长飞先进 PG4E 单管系列包含 750V 及 1200V 产品；与当前国内外同类产品相比，具备高可靠、低损耗特性，性能更适配 AIDC 这类追求极致效率的应用场景。

长飞先进第四代平面型 SiC MOSFET 采用先进多级 P 阱注入技术，实现优化的体区掺杂分布。在不影响沟道表面浓度的前提下，实现 N + 源区下方高浓度 P 型掺杂，增强体区对栅氧的屏蔽作用，提升长期可靠性；同时降低体区横向电阻，抑制寄生三极管开启，从而提升短路耐量与雪崩耐量。

长飞先进战略运营中心副总裁李刚表示：“PG4E 跟市面上主流碳化硅芯片的性能非常接近，而在可靠性上优于很多产品，因为它的可靠性测试条件更严苛。目前行业内还没有统一的 AI 数据中心可靠性测试标准，但是在我们看来，数据中心应用对可靠性的要求可能会比车规还要高。所以我们把目前验证的可靠性表现最优、性能和当前主流产品相当甚至略有领先的芯片，作为 AI 数据中心主打产品。”

长飞先进战略运营中心副总裁李刚

而基于 PG4E 芯片打造的 EZ2C/3C SiC 功率模块，为国内首款采用先进扩散焊工艺的功率模块。相较传统锡焊片工艺，EZ2C 的节壳热阻可降低 18%，满载工况下芯片节温可降低 25°C 以上；同时 EZ 家族全系采用耐高温材料体系，支持 SiC 器件 200°C 以上工作温度，可充分释放 SiC 的材料优势。此外，EZ3C 创新集成高效 SHB 三电平拓扑，可将单只 SST 模块功率从当前 70kW 提升至 100kW 以上，并把 10kV AI SST 的级联级数从 16 级降至 8 级，大幅降低 SST 系统复杂度，有利于保障 SST 长期不间断运行下的可靠性。

李刚指出：“400V 平台主要采用 IGBT，碳化硅应用很少。到 800V 架构中，碳化硅就成为必需品。客观来看，当前真正落地采用 800V HVDC 架构的数据中心数量仍然不多。由此可见，碳化硅器件在 AI 数据中心的长期应用前景十分广阔。”

全产业链模式模式的赋能价值：芯片 - 模块协同的成本与可靠性杠杆

官网信息显示，长飞先进是专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。公司配备国内一流产线设备与先进配套系统，可提供从工业级到车规级的 SiC SBD、MOSFET 全系列产品。

面向 AI 数据中心等多领域，长飞先进全产业链能力具备多重赋能价值：

首先，碳化硅的竞争本质是工艺竞争。正是工艺创新推动元胞尺寸（cell pitch）微缩，进而带来比导通电阻（Rsp）持续下降与功率密度提升。四年前长飞先进在 Rsp 指标上尚处于追赶阶段，如今已跻身国内前列 —— 第四代 PG4E 到第五代 PG5E（1.9 mΩ·cm²/ 3.7 mΩ・cm²，较上代降低约 13.5%），再到已发布技术规格的第六代 PG6N（1.7
mΩ·cm² / 3.2
mΩ·cm²），代际迭代速度，依托于设计与制造环节无需跨企业协调的闭环研发体系。

其次，面对银、铜等原材料价格剧烈波动，全产业链模式提供三层缓冲：一是规模化，晶圆制造需要足够体量摊薄成本，长飞先进产能规模位居国内前列；二是智能制造，依靠高度自动化生产降低制造成本；三是工艺创新，典型如 DeepXE™嵌入式产品采用自主开发的芯片上表面镀铜工艺，替代传统金等贵金属工艺路线，在不牺牲性能前提下显著降本。三者叠加，帮助对价格敏感的客户对冲部分市场波动风险。

第三是产品良率管控。李刚提到，碳化硅行业有一个容易被忽视的前提：抛开芯片尺寸（die size）谈良率没有意义。同一片 6 英寸晶圆，5×5mm 的裸片约四五百颗，如果存在 100 处缺陷，就可能有约四分之一裸片报废；而小尺寸裸片方案可以做到 7000 至 10000 颗，同等缺陷密度下受到的影响微乎其微。在公认难度较高的 5×5mm die size 口径下，长飞先进良率可达 98% 以上，处于国内第一梯队。

第四，全产业链模式能力让长飞先进拥有系统级产品定义权。同一款芯片，搭配不同封装方案输出能力差异显著 —— 搭载 HPD 模块输出约 430A，更换为嵌入式封装方案则可达 500A。

此外是技术路线并行储备。长飞先进同步布局平面型与沟槽型两条 MOSFET 路线：平面器件持续迭代，目前作为主力出货产品；沟槽器件早在 2023 年启动专利布局，截至 2025 年 10 月相关专利数量位列全球第三，积极构建自身专利储备。

结语

从湾芯展新品首秀，到技术发布会上 PG4E 单管与 EZ2C/3C 模块完整亮相，长飞先进在 AIDC 赛道的打法已经清晰：以经过车规级加严验证的成熟芯片为基础，依靠扩散焊与 SHB 三电平这类封装、拓扑创新打造差异化，再依托全产业链模式把成本、良率、迭代速度掌握在自身手中。

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