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长鑫科技通过关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案。
今天，长鑫科技召开2026年第二次临时股东会，长鑫科技在交流中透露，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。
在此次股东会上，长鑫科技通过了关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案。该议案拟使用超募资金人民币130.00亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50.00亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。
其中，技术研发项目计划投资总额为241亿元，拟使用超募资金投入金额130.00亿元，投资建设期为30个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。资金使用计划如下：
长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目计划投资总额为108亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额50.00亿元。投资建设期为37个月，资金使用计划如下：
长鑫科技始终坚持自主研发道路，并通过跳代研发加快技术创新，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。经过多年发展，公司已在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了完善的核心技术体系，截至2026年6月30 日，公司共拥有4,484项境内专利（其中发明专利3,744项）以及3,400项境外专利，拥有7,491名研发人员，占公司员工总数的比例超过33%。
针对当前的宏观与产业环境，长鑫科技进一步指出， 公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容，预计2025至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。
测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性， 随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。
长鑫科技管理层重点强调，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。目前，长鑫科技已采用创新的四重自对准图形工艺，第五代技术平台制程比肩业内已量产的最先进平台，存储密度与器件性能大幅提升。核心产品LPDDR6内存芯片传输速率达12800 Mbps，功耗较LPDDR5X产品下降20%，并且在4F²等先进技术架构方面已取得关键进展。
此前长鑫科技发布了前三季度业绩预告，预计前三季度营收2650亿元至2700亿元，同比增长726%~741.5%，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈。长鑫科技称，2025年下半年以来AI算力需求快速增长，全球DRAM（动态随机存取存储器）行业景气度提升，公司推进产能建设，提高单位晶圆产出和产能利用率，规模效应显现。
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