内存还要涨？美光亮出 2030 路线图：显存要直接焊到 GPU 上

先介绍一下主角：美光（Micron）是美国的存储芯片公司，做 DRAM 内存、NAND 闪存，也做 AI 芯片旁边的 HBM 高带宽内存。

这次，美光总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 开了一场技术与产品网络研讨会，公开多代技术路线图，从 DRAM、HBM 一直讲到 NAND，时间轴拉到 2030 年。

美光官方帖

https://x.com/MicronTech/status/2112932225885044826

为什么内存成了 AI 的瓶颈

美光开场就给了几个数字：从 H100 到 B300，每颗 GPU 配的 HBM 容量涨了 3.6 倍（80GB 到 288GB）；AI 的上下文长度每年增长约 30 倍；训练服务器的内存三年翻倍；L4 以上的自动驾驶车，DRAM 用量是今天 L2+ 车的 10 倍以上。

它的判断很直接：内存已经成了 AI 的瓶颈，算力再强，数据喂不进去也白搭。

每一波 AI 都在推高内存需求（图源：美光研讨会幻灯片）

美光把 HBM 的演进分成三步：

• 标准 HBM：行业通用规格，内存摆在 GPU 旁边，通过中介层连接

• 定制 HBM：和客户一起设计底层逻辑芯片（base die），加入差异化功能，从 HBM4E 开始提供

• 垂直 HBM（vHBM）：内存直接叠在计算芯片上，内存和计算之间的路径最短

目的只有一个：缩短内存到计算的距离，每瓦电换更多 token。

标准 HBM、定制 HBM、垂直 HBM 三种形态（图源：美光研讨会幻灯片）

路线图上的时间点（官方注明为目标量产时间，属方向性规划，可能调整）：

• HBM4：已在大规模量产，单颗堆栈带宽约 2.8 TB/s

• HBM4E：2027 年，已向重点客户送样，定制 HBM 从这一代起步

• vHBM 1：2028 年，同年还有 HBM5；之后是 HBM5E、HBM6 和 vHBM 2、vHBM 3

• vEIM（垂直边缘推理内存）：面向终端设备，首代目标 2 TB/s 带宽、每比特能耗低于 1 皮焦

要把内存叠上去，靠的是封装：混合键合（hybrid bonding）提高堆叠密度、缩小互连间距，再加上更好的散热设计。

HBM、vHBM、vEIM 产品路线图（图源：美光研讨会幻灯片）

这是这次最有态度的一页。DRAM 的单元布局有 6F² 和 4F² 两种思路，后者理论上更省面积。美光的说法是：研究了二十多年 4F²，结论是“没有可行的微缩路径”，复杂度和成本都太高，所以不做。

美光的路线是继续把 6F² 做下去，靠 EUV 光刻、晶圆键合、High-NA EUV 和新材料再推几代，同时研发 3D DRAM，像当年 NAND 从平面转向 3D 那样往上叠。官方注明这张图只是方向，不代表具体时间。

DRAM 路线：延续 6F²、研发 3D DRAM，不走 4F²（图源：美光研讨会幻灯片）

近一点的节点是 1δ（1-delta），美光称其为全球最先进的 DRAM，2027 年下半年爬坡，在美国制造。相比当前的 1γ，比特密度提升约二十几个百分点，会用来做 HBM5、vHBM 和 vEIM。

闪存方面，下一代 G11 NAND 采用晶圆对晶圆键合，超过 400 层，2027 年下半年量产爬坡；比特密度约为 G9 的 2 倍，I/O 速度最高提升 1.5 倍，每比特传输能耗降低 25% 以上。

G11 NAND（图源：美光研讨会幻灯片）

这份路线图透露的趋势很清楚：AI 芯片的竞争正在变成“算力 + 内存 + 封装”一起比。HBM 不再只是一颗标准件，而是要和 GPU 厂商一起定制，最后干脆叠到计算芯片上面。至于 DRAM 本身，美光明确选择 6F² + 3D DRAM，不走 4F²。

说明：路线图时间均为美光官方给出的目标，官方注明可能调整。本文图片均为美光官方幻灯片及官方帖配图，非 AI 生成。