
一. 两笔收购落地,争夺的不只是功率器件
10月5日,英飞凌完成收购印度C2i Semiconductors;次日,Navitas宣布完成Claros收购。两笔交易均在8月下旬首次披露,10月相继交割,并不是临时发动的“抢购”。它们指向同一个产业变化:AI服务器的供电竞争,正从分立器件延伸至控制算法、系统架构和先进封装。
C2i的核心能力是软件定义多相控制器、智能功率级及面向垂直供电的系统设计;Claros则聚焦集成电压调节器(IVR)和处理器近端供电。按Navitas的8月交易公告,Claros交易对价最高估值约2.328亿美元,包含以业务里程碑为条件的部分支付。两家公司买入的重点,都不是新建晶圆产能。

表 1 两笔收购的能力互补(基于公司官方公告整理)
二. 从800V到1V:供电难题为何集中到处理器附近?
机柜电力需求攀升,使高压直流配电和服务器内多级降压成为重要技术方向。TI在2025年技术文章中给出一种示例:800V直流经中间母线转换器(IBC)降至50V,再至12.5V或6.25V,最后由多相Buck稳压器为GPU等计算核心提供低于1V的大电流电源。该架构属于技术方案,并非所有服务器统一采用的标准。

图 1 800V服务器供电架构示意,参考:TI《Power delivery trade-offs when preparing for the next wave of AI computing growth》(2025年10月),Figure 1
难点在最后一级:核心电压低、负载电流大,电流路径的电阻损耗与电流平方成正比;与此同时,AI芯片负载突变要求稳压器快速响应,并严格控制压降和纹波。单纯增加功率级数量,还会遭遇PCB布线、无源器件体积、散热与控制协同等瓶颈。
因此需要区分三种概念。多相VRM是目前广泛使用的电压调节方案;垂直供电(VPD)主要缩短从稳压器到处理器的供电路径;IVR则强调将调压功能集成得更靠近芯片,未来可进一步进入封装基板。VPD与IVR可以组合,不是“二选一”的替代关系。

图 2 处理器末端供电布局示意,参考:Claros《Unlocking Performance: How Smarter Power Delivery Drives AI Infrastructure》(2025年10月),Figure 2
三. 巨头为何收购:补足电源系统的关键能力
英飞凌已有硅、SiC、GaN器件和覆盖多级功率转换的业务基础。整合C2i后,能够将数字多相控制、智能功率级与原有器件能力协同开发,提升从电网到处理器核心的系统设计深度。英飞凌还明确提及下一代基板集成电压调节器(SIVR)的研发方向。
Navitas此前更偏重GaN、SiC功率器件以及高压数据中心电源链。Claros的IVR、数字控制和封装技术使其有机会向xPU末端供电延伸。其投资者材料展示了“Grid-to-xPU”的业务拼图,但这是一份战略布局图,不代表全部架构均已形成成熟量产收入。

图 3 Navitas与Claros的Grid-to-xPU业务布局,参考:Navitas《Breaking the AI Infrastructure Power Wall》(2026年8月),第8页
收购比自主研发更快获得团队、知识产权、实验平台与潜在客户入口,但收购后仍需解决工艺兼容、封装可靠性、热设计、系统验证和客户认证。功率器件的性能优势,也不会自动转化为处理器核心供电的市场份额。
四. 价值链重组:竞争从芯片参数转向整体方案
现阶段,MPS、瑞萨、TI等厂商已围绕多相控制器、DrMOS/智能功率级和电源管理工具建立组合优势。以瑞萨为例,其公开产品体系强调数字多相控制器与SPS配合,实现电流均衡、温度监测和瞬态响应。未来竞争关键不只是单颗MOSFET导通电阻,而是整个电源网络的损耗、响应、体积及系统稳定性。
新架构并不意味着传统方案被立即淘汰。多相VRM仍承载当下AI服务器的大量商业需求;VPD、封装级IVR和基板集成技术处在不同工程成熟阶段,应用场景、制造成本与可靠性约束均不同。对供应商而言,最有价值的能力,是参与芯片厂商与服务器ODM的早期架构定义,而不只是供货时满足器件规格。
资本市场也需辨别不同数据口径。英飞凌曾预计2027财年AI数据中心供电业务收入约25亿欧元;Navitas则将收购后的2030年可服务市场规模(SAM)估至80亿美元以上。前者是公司业务收入指引,后者是公司估计的潜在市场空间,不能直接并列为经营业绩。
五. 国产厂商的机会:先跨越量产与客户认证门槛
中国厂商已开始向高端算力供电渗透。芯朋微2026年5月公布PN68XX多相控制器、PN786X DrMOS等三次电源矩阵;杰华特2026年半年报披露多协议16相数字控制器和大电流DrMOS,并表示已向多个计算行业头部客户送样;南芯科技7月发布面向算力芯片供电的多相DrMOS方案。
上述进展分别对应产品布局、送样与方案发布,不能等同于全面规模量产。国内企业可优先争取成熟多相VRM及周边电源轨的国产替代机会,同时积累数字控制、协议适配、热设计和高可靠封装能力。真正的壁垒仍在长期客户验证、软件调校与系统级交付,而非仅推出一颗参数相近的芯片。
六. 结语:供电竞争的重心正在上移
短期看,多相VRM与智能功率级仍是高确定性的商业战场;中长期看,VPD与IVR推动电源设计向处理器封装靠拢。此次并购的核心意义,是功率半导体企业加速争夺“器件—控制—架构”的整体定义权。未来谁能把效率、稳定性、成本与客户认证同时做好,谁才可能获得更大的系统价值。

