总投资102亿元，又一硅光芯片项目开工！

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11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期在武汉东湖综保区高端光电器件产业基地正式开工，项目总投资达102亿元，是国内光芯片、高速光模块赛道又一笔大额产能布局。

项目总占地约3.5万平方米，规划总建筑面积16.63万平方米，建设内容包含两栋高等级洁净厂房、智能化仓储物流中心、厂务动力站房以及配套生活设施。项目建设工期14个月，计划2027年底完成竣工验收，同步开展设备调试与产能爬坡工作。

在产品方向上，项目将围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO光引擎、全光交换等前沿方向开展技术攻关，打通“开发—验证—量产”全链条，产品覆盖800G至12.8T高速光模块、光引擎、OCS光线路交换、WSS波长选择开关等AI算力、全光网络核心产品。项目达产后，高速光模块年产能将超过1000万只，全面提升光迅科技在高端光电子、硅光芯片器件领域的研发与规模化制造能力。

光迅科技党委书记、董事长黄宣泽在开工仪式上表示，公司将统筹做好工艺布局、设备导入、人才储备和供应链准备，力争项目早建成、早投产、早达产。依托该项目持续导入先进工艺与自动化产线，进一步夯实硅光、高速光互联的制造底座，为长期发展筑牢根基。

作为国内具备硅光芯片、光器件、光模块全链条自研制造能力的厂商，光迅科技近年来持续加码AI算力高速互联赛道，已经先后推出3.2T、6.4T NPO近封装光引擎方案，并完成头部云厂商的系统验证。本次百亿元级扩产，正是承接AI算力集群对高速光互连需求的落地动作，同时兼顾传统数据中心、全光交换网络的长期需求。

从产业背景来看，随着大模型训练、AI推理集群持续扩容，800G、1.6T高速光模块需求持续上行，CPO、NPO等新型共封装/近封装光学方案，被行业视作下一代高密度、低功耗芯片互联的核心路线。光迅本次项目同步布局成熟高速模块与前沿光引擎，兼顾短期订单交付与中长期技术路线落地。

来源：半导体在线

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