左高塔右联电，中际旭创卡位硅光代工

随着AI算力需求持续推高光互联规格，硅光产业链的产能与技术卡位战同步升温。近日，光模块龙头厂商中际旭创接连落子，加深了其在晶圆代工领域的深耕与布局。

11月3日，高塔半导体与中际旭创宣布继续在近封装光学（NPO）领域合作；与此同时，市场消息也称联电拿下中际旭创与赛丽光子的PIC订单，并启动硅光子双轨扩产。

一边是NPO合作深化，一边是PIC订单落地，光模块龙头与晶圆代工厂正加速绑定，围绕下一代AI光互联的技术路线与量产产能展开布局。

11月3日，晶圆代工厂商高塔半导体与光通信厂商中际旭创（Innolight）联合宣布，双方将继续在新兴近封装光学（NPO）领域开展合作。

高塔半导体表示，本次合作将中际旭创在光互联解决方案领域的技术积累，与Tower大规模量产的200mm、300mm硅光制造平台相结合，以满足下一代人工智能基础设施不断提升的性能与带宽需求。

据介绍，依托高塔半导体可大规模量产的200mm、300mm硅光平台，中际旭创的近封装光学（NPO）产品系列研发已取得重要进展：首款NPO器件采用Tower的PH18M硅光工艺，并在Tower美国加州工厂进入小批量试产阶段。

高塔半导体总裁Marco Racanelli表示，中际旭创既是Tower硅光技术路线中重要的技术合作伙伴，也是核心量产客户，合作覆盖我们四个生产基地：两处位于美国（加州纽波特比奇、得克萨斯州圣安东尼奥），以及以色列和日本各一处。

随着AI算力负载规模持续扩大，近封装光学架构逐步成为下一代光互联的主流技术路线之一。这类新架构有望在现有可插拔光模块市场之外催生新的需求，推动面向AI与云基础设施的光互联方案进入新的发展阶段。

近期媒体报道，另一家晶圆代工厂联电已获得全球光模块龙头中际旭创及硅光子设计企业赛丽光子（SILITH）的光子集成电路（PIC）订单，初期订单总量上看1万片，将在联电新加坡12英寸晶圆厂生产，后续有望追加订单。相关产品单价据传达到传统CMOS制程的约七倍，若放量顺利，将成为联电提升特殊制程附加值与盈利结构的重要切入点。报道同时指出，联电对特定客户及接单消息不予评论。

PIC是高速光模块中进行光电信号转换的关键芯片，涉及光波导、调制器与光电整合，制程复杂度与良率门槛显著高于CMOS。此前全球具备PIC量产能力的晶圆代工厂较为有限，主要由高塔半导体（Tower）与格芯（GlobalFoundries）提供相关平台。随着光通信向800G、1.6T乃至3.2T规格演进，PIC产能已被客户大量预订。

业界透露，联电的切入点在于以成熟制程承载特殊工艺，台积电虽也有对应平台，但采用先进制程，客户端光罩等成本相对较高；联电则凭借12英寸量产实绩与成本结构，吸引了中际旭创与赛丽光子主动寻求产能。

2026年7月，联电与SILITH已共同宣布，新加坡12英寸晶圆厂完成首批量产硅光子晶圆交付，从开发到量产仅耗时18个月，并已通过全球领先云端基础设施客户的认证。该平台支持SILITH 1.6T高速光互连解决方案的量产需求，双方在每通道200G硅光子客制化制程商业化之后，正合作开发每通道400G纯硅光子平台，采用高速马赫-曾德尔调制器架构。

客户层面，中际旭创是全球数据中心光收发模块龙头，深耕北美云端服务供应商及AI市场，正积极拓展800G、1.6T高速光模块。赛丽光子则获腾讯创投注资，通过新加坡SILITH布局国际市场，每通道100G、200G的PIC累计出货已超过800万颗，并与联电共同推进每通道400G技术。

为承接硅光子需求的持续增长，联电已启动双轨扩产。新加坡P4厂区扩充硅光子产能，中国台湾南科Fab 12A厂区则启动P7、P8新厂规划，作为未来产能基地。联电CEO王石在10月业绩说明会上透露，硅光子月产能规划约1.8万片，新增产能主要于2028年底起陆续装机，2030年达到完整规模。王石坦言，硅光子等新业务目前产能满载，2027年仍将受产能限制，“恐怕还是不够”。

联电董事会此前已追加约32亿美元资本支出，用于扩充硅光子、3D IC及薄膜铌酸锂（TFLN）三大业务产能，合计规划月产能达6万片。市场消息称，大客户已提前洽谈后续产能配置，以确保供货。