奕成科技“板级高密FO-MCM”技术与产业解析

一、技术解码：“由圆转方”的板级高密FO-MCM到底是什么

2026年11月5日，中国大陆首家实现板级高密FO-MCM产品规模化量产的链主企业——成都奕成科技股份有限公司（简称“奕成科技”）宣布完成数十亿元人民币C轮增资，成都产投旗下金沙领发基金、产投科创基金共同参与。消息一出，“板级高密FO-MCM”迅速成为半导体与资本市场关注的焦点。为了彻底讲清楚这项技术，我们可以将“板级高密FO-MCM”拆解为三个层层递进的核心概念来通俗理解：

1. 什么是“板级（Panel-Level，即由圆转方）”：几十年来，传统的芯片制造与晶圆级封装（如台积电CoWoS、FOWLP）都是在直径300mm（12英寸）的圆形硅晶圆上进行的。然而，所有的AI GPU、CPU和HBM内存芯片在切割出来后都是矩形（方形）的。当芯片尺寸随着AI算力需求越来越大（从几平方毫米膨胀到60×60mm甚至80×80mm以上），在圆形的晶圆上摆放巨大的方形芯片（即“圆内切方”），会导致晶圆四周的弧形边缘留下大片根本放不下完整芯片的“三角废边”，有效面积利用率暴跌至60%–65%左右。而“板级（Panel-Level）”则是彻底抛弃圆形晶圆，改用类似液晶显示器面板那样的超大尺寸矩形方板（奕成科技主力规格为510×515mm）作为封装加工载体！一块510×515mm方形大板的面积高达262,650平方毫米，相当于一片300mm圆形晶圆面积（70,685平方毫米）的3.7倍。方形芯片在方形大板上可以像铺瓷砖一样严丝合缝地排满整张面板，有效面积利用率直接跃升至93.5%以上，单板一次产出的芯片数量达到晶圆级的4至6倍，从而将单颗AI芯片的封装成本大幅降低30%至45%。

2. 什么是“扇出型（FO, Fan-Out）”：在传统封装中，芯片的引脚（I/O焊球）只能排列在芯片原本狭小的正下方区域内（称为“扇入型 Fan-In”）。但现代AI芯片有成千上万个信号通道，芯片肚子底下根本排不下这么多引脚。“扇出型（Fan-Out）”的做法是：先把切割好的裸芯片（Die）重新排列在510×515mm的大载板上，用环氧塑封料（EMC）把芯片包裹固定成一张平整的“重构大板”，然后通过光刻与电镀工艺，将芯片内部的电路引脚沿着表面生长出的金属微细走线向外延展（扇出）到芯片周围更宽广的区域，从而在不增加芯片裸片面积的前提下，容纳多出数倍的I/O互连通道与更优异的散热空间。

3. 什么是“高密多芯片模块（High-Density MCM / Chiplet异构集成）”：早期的普通板级封装（低密度FOPLP）线宽粗糙（通常在10微米以上），只能用来封装单颗电源管理芯片（PMIC）或射频小芯片。而奕成科技首创量产的“板级高密FO-MCM（Fan-Out Multi-Chip Module，即2.xD FO平台）”，是在510×515mm的超大方形载板上，通过多层线宽/线距（L/S）精细至2/2μm（2微米，不到人类头发丝直径的三十分之一）的高密度重布线层（RDL），直接把多颗不同制程的AI算力芯粒（Chiplets）、高带宽存储芯片（HBM/DRAM）和I/O接口芯片高速互联并封装在同一颗模块内。

一句话总结“板级高密FO-MCM”的核心价值：它既拥有媲美台积电2.5D CoWoS晶圆级封装的微米级（2/2μm）高密度多芯片（Chiplet）互连性能，又省去了CoWoS中极其昂贵且产能紧缺的“整片TSV硅中介层（Si Interposer）”，同时借由510×515mm“由圆转方”的超大面板载体实现了单次4–6倍的产出效率与30%以上的成本下降！

图3：传统200mm/300mm圆形晶圆级封装与510×515mm（奕成科技主力FO-MCM）、600×600mm矩形板级高密封装的大芯片排布有效面积利用率（%）及单位封装成本指数对比。

二、硬核壁垒：板级高密FO-MCM如何攻克2μm布线与大板翘曲

当封装载体从直径300mm的刚性圆硅片变成510×515mm的超大方形板，且布线精度要求达到2微米时，制造物理难度呈指数级上升。奕成科技研发与工程团队先后攻克了业界公认的三大核心制造壁垒，从而成为中国大陆首家跑通板级高密FO-MCM规模化量产的企业：

1. 工艺路线抉择：“RDL先行（RDL-First）”与高精度“Die-to-Die”微米级键合：如果针对昂贵的AI算力裸片采用传统的“芯片先行（Chip-First）”工艺，一旦在制作多层2μm重布线层（RDL）时发生微小缺陷，封在里面的昂贵AI主芯片与HBM就会随之报废。因此，高密度FO-MCM（2.xD FO）平台采用在510×515mm超平坦无碱玻璃载板（Glass Carrier）上先制作并检测合格多层2/2μm高密RDL（即RDL-First），确认良率100%为已知合格重布线层（KGR）后，再将已知合格的AI算力芯粒（KGD）高精对位倒装键合上去。奕成科技攻克了超大板幅上的高精度芯片与芯片（Die-to-Die）对位焊接工艺，避免了珍贵算力芯片的良率损耗。

2. 攻克510×515mm超大板“翘曲变形（Warpage）”与“芯片偏移（Die Shift）”：一块510×515mm的大板面积是12英寸晶圆的3.7倍，在经历多层聚酰亚胺（PI）介质涂布、高温固化、环氧塑封料（EMC）注塑成型与冷却过程中，不同材料的热膨胀系数差异会使大板边缘像薯片一样翘起数毫米，同时塑封料流动会推动芯片发生微米级位移（Die Shift）。一旦芯片偏移超过1–2微米，光刻机在曝光2/2μm线宽的RDL导线时就会彻底“脱靶断路”。奕成科技通过引入510×515mm高刚度低膨胀玻璃载板、独创的大板多物理场热应力仿真与反翘曲补偿机制，以及光刻机逐场自适应对准补偿算法，成功将整板的翘曲度与芯片偏移锁死在严苛的量产红线之内。

3. 超大板面2/2μm光刻拼接、电镀均匀性与超精密CMP研磨控制：在510×515mm的矩形大板上，四个直角边缘极易出现涂胶厚度不均以及电镀铜层厚度“四周厚、中间薄”的现象，直接影响2/2μm微细导线的阻抗一致性与高频信号完整性。奕成科技联合设备与材料供应链，全面攻克了大板步进光刻无缝拼接、面板级脉冲电镀流场均匀性控制，以及大面积超精密研磨（Grinding）厚度均匀性等量产难关。

三、应用现状：成都奕成科技量产实绩、多元平台与C轮资本赋能

作为北京奕斯伟科技集团生态下聚焦板级系统封测的核心支柱，成都奕成科技在四川成都高新西区建成了总投资达55亿元人民币的中国大陆首座板级高密系统封测灯塔工厂。公司自2017年切入赛道，于2023年4月实现工厂投产、同年12月完成首批产品量产交付；2024年10月正式实现板级高密FO-MCM平台批量量产（大陆首家）；2026年下半年510×515mm超大玻璃载板FOPLP产能加速爬坡，并于2026年11月完成数十亿元C轮增资，获得成都产投（金沙领发基金、产投科创基金）从A+轮、B轮、B+轮到C轮的第四次战略加码。

目前，奕成科技已搭建起覆盖不同互连密度与成本层级的五大先进封装技术平台，在国产AI算力芯片、HPC、高端移动终端及智能汽车电子领域实现规模化落地：

四、未来演进：从板级FO-MCM迈向TGV玻璃基板与CPO光电合封

站在数十亿元C轮增资的新起点上，成都奕成科技的下一步技术演进方向极为明确：在持续扩大510×515mm板级高密FO-MCM产能与向1/1μm亚微米RDL微缩的同时，全力推进“TGV玻璃核心基板（Glass Core Substrate）”与“CPO光电合封（Co-Packaged Optics）”两大下一代颠覆性技术的产业化落地。

1. 从“玻璃临时载板”走向“TGV永久玻璃核心基板（Glass Core）”：在现有的板级高密FO-MCM制程中，510×515mm玻璃板主要作为制造过程中的“临时高刚度承载板（Glass Carrier）”，完成后会被剥离。而在下一代超大尺寸AI芯片（100×100mm以上）中，传统的有机ABF树脂基板因热膨胀系数（CTE高达15–17 ppm/K）与硅芯片（3.0 ppm/K）严重不匹配，极易翘曲开裂。因此，全球技术演进正直接把打满微米级导电铜通孔（TGV, Through-Glass Via）的特种硼硅玻璃板（CTE 3.2–3.8 ppm/K）留存在芯片内部，作为永久性的核心封装基板（Glass Core Substrate）。奕成科技已经在510×515mm玻璃载板FOPLP产线上完全跑通了大尺寸玻璃搬运、双面2/2μm微米级光刻、电镀与应力控制，只需在前端叠加激光诱导刻蚀TGV玻璃通孔与金属化工艺，即可无缝升级为全玻璃多层互联封装平台。

2. 玻璃基板与板级高密封装赋能 CPO（光电共封装）：随着AI智算中心内部数据传输速率从800G迈向1.6T、3.2T乃至6.4T，将硅光子引擎与AI算力芯片直接合封在同一块基板上的光电共封装（CPO）成为必由之路。奕成科技前瞻布局的“玻璃基板 + 板级高密CPO”具备两大优势：一是玻璃基板极高的刚性与超低热膨胀系数确保了CPO硅光引擎与外部光纤阵列（FAU）保持零位移的亚微米级光学耦合精度；二是未来通过飞秒激光直写或离子交换技术，可直接在透明玻璃基板内部制作低损耗的三维光波导通道，实现“电信号走TGV铜通孔与2μm RDL、光信号走玻璃内波导”的终极光电融合集成。

图5：传统ABF有机树脂载板与下一代玻璃基板（TGV）在互连密度、抗翘曲平整度、CPO光学兼容性上的综合评分对比（左）及热膨胀系数（CTE）与硅芯片匹配度对比（右）。

图6：2024–2030E全球板级扇出型高密封装（FOPLP / FO-MCM）与先进玻璃基板封装（TGV / Glass Core）市场规模增长预测（2030年合计直指百亿美元大关）。

总结展望：放眼全球，台积电正加速推进面板级CoPoS研发并收购友达厂房切入玻璃基封装，日月光、英特尔、三星电机纷纷重金扩产。而在中国大陆，成都奕成科技凭借大陆首家板级高密FO-MCM量产先发优势与此次数十亿元C轮增资，正携手长电科技、通富微电、华天科技（盘古半导体）、华进半导体等封测同仁，以及上游京东方（BOE）、沃格光电、三叠纪科技、赛微电子、云天半导体、盛美上海等本土伙伴，共同构筑起从“510×515mm板级高密FO-MCM”到“TGV玻璃基板+CPO”的中国自主先进封装护城河。