二手内存芯片，入侵低端手机

非常时期需要非常手段，而电子行业早已身处其中。在苦苦应对不断上涨的内存成本和库存短缺问题，并最终意识到这种情况可能需要数年才能解决之后，一些设备制造商正在寻找替代方案，以赋予旧硬件组件新的生命。

根据TrendForce最近的一份报告，DRAM合约价格上涨迫使一些智能手机品牌考虑在其入门级产品线中使用重新焊接的内存组件。简而言之，重新焊接的内存是指从旧设备中回收的旧内存，重新焊接焊球后，再安装到其他设备上。

TrendForce指出，目前市面上大部分翻新内存条为4GB LPDDR4X模块，非常适合入门级4G手机。但由于DRAM价格预计将持续上涨，且库存短期内难以缓解，低规格组件和翻新内存最终可能会渗透到以往被归类为主流的高价设备中。

在智能手机行业中使用翻新芯片并非新鲜事，但也并不普遍。TrendForce 预测，到 2026 年，“回收”芯片将占移动内存的 3-4%，并警告称，明年这一比例可能攀升至 7-9%。

TeamGroup本月初表示，目前内存短缺最严重的时期尚未到来。这家总部位于台湾的硬件公司首席执行官陈清文认为，未来几个月内存价格还会继续上涨。最终，无论人们有多少钱，都买不到内存，因为届时将根本没有多余的内存可供使用。

SK海力士的表态也大同小异。这家韩国芯片制造商在其最新发布的第三季度财报中表示，市场对人工智能相关产品的需求并未放缓。因此，他们预计存储器市场将在中长期内保持增长。这对参与制造流程的人员及其投资者来说无疑是好消息，但对几乎所有其他人来说却令人担忧。

对人工智能加速器和数据中心的强劲需求推动内存价格以及供应商利润达到历史新高，DRAM收入同比增长高达 369%。

根据Counterpoint Research发布的2026年第三季度全球内存追踪报告，三星以38%的市场份额领跑DRAM市场。SK海力士环比增长更为强劲，营收环比增长超过40%，帮助其收复了今年早些时候失去的部分市场份额。美光科技也受益于人工智能数据中心内存需求的强劲增长，但增速低于三星和SK海力士。CXMT的市场份额从第二季度的10%下滑至第三季度的9%。随着竞争对手从第四季度开始出货价格更高的HBM4内存，CXMT的市场份额可能持续承压。

“这是一个价格超级周期，而非销量周期，” Counterpoint Research 高级分析师 Jeongku Choi表示。“本季度位级出货量仅增长约 4%，但 DRAM 营收却接近 2000 亿美元，几乎是去年同期的 5 倍。人工智能已将内存从一种普通商品转变为一种珍贵的稀缺资源，买家现在竞相争夺供应，而不是讨价还价。随着价格持续上涨，供应商有望在下个季度再次创下新的盈利纪录。”

DRAM平均售价（ASP）上涨是第三季度增长的主要驱动力。尽管价格涨幅较上半年大幅上涨有所放缓，但ASP仍达到每千兆（Gb）1.9美元，从而提振了DRAM整体营收。

“每一代新的HBM芯片都在重塑市场领导地位，” Counterpoint Research的研究总监Hwang表示。 “SK海力士曾一度主导HBM3E市场，但其增长速度已经放缓，而三星的HBM4则受到了客户的广泛好评。三星今年的盈利状况有所好转，预计明年将占据HBM市场的榜首。”

Hwang补充道：“明年内存价格应该会保持强势。今年落后于大宗DRAM的HBM价格目前正在迎头赶上。长期协议（LTA）支撑了价格，而且由于主要的新建晶圆厂要到2028年才会投产，供应将保持紧张。短期内，LTA条款可能会导致不同供应商的业绩有所不同，但从长远来看，它们都应该遵循同样的上涨趋势。”

从产品构成来看，尽管HBM的收入几乎翻了一番，但其在DRAM收入中的份额却有所下降，因为传统DRAM（DDR/LPDDR）的增长速度更快。针对这种构成变化，英伟达副总监Brady Wang评论道：“智能AI的兴起正在推动对传统DRAM前所未有的需求。根据我们的云AI计算追踪器，GPU与CPU的比例已从4:1大幅缩小至2:1，甚至正朝着1:1的方向发展。例如，在英伟达的Vera Rubin机架中，每个CPU插槽的DRAM容量几乎是上一代的三倍，达到1.5TB。”

Brady Wang补充道：“巨大的市场需求推动DDR和LPDDR的平均售价创下历史新高，其营收也因此分别同比增长了500%和近400%。我们预计服务器CPU的消耗量将显著增长，进而带动传统DRAM的消耗量增长，这将进一步推高明年每Gb的平均售价，并对边缘计算市场构成挑战。”