8月12日，根据外媒报道，中国一家主要的DRAM制造商已启动对华为提供HBM3（高带宽内存第三代）样品的供应流程。这一进展意味着中国企业正式踏入了高性能内存领域，有望改变由三星电子、SK海力士和美光三家公司长期主导的市场态势。
随着AI技术的发展，作为AI芯片核心组件的HBM需求持续增长。此次供应HBM3样品给华为，是中国企业在追赶国际领先水平上的重要一步。华为计划将这款国产HBM3融入其最新研发的AI芯片“昇腾910C”中，以提升产品整体性能。
据悉，该国产HBM3样品基于公司自主研发的G4工艺制造，采用了16纳米制程，相比之前的技术，能够在保持性能的同时减小芯片尺寸约20%。然而，在复杂的垂直堆叠工序方面，该企业选择了与专业的半导体封测服务提供商合作完成。
尽管全球HBM市场目前仍由三星、SK海力士和美光三分天下，但随着中国厂商长鑫存储等企业的崛起，市场上出现了形成“四巨头”格局的可能性。长鑫存储不仅在通用DRAM市场中稳步扩大份额，还加速了在高端产品的开发进程。
市场研究数据表明，长鑫存储与其他国际领先厂商之间的差距正在逐渐缩小，预计到明年第一季度，其单位晶圆比特密度差距将进一步缩减至1.18倍。此外，随着中国政府对本土半导体产业的支持力度加大，以及中美贸易协商可能带来的出口管制放松，未来中国在全球HBM市场的地位有望得到进一步巩固。
值得注意的是，华为将在今日举办的2025金融AI推理应用落地与发展论坛上发布一项新的AI推理技术成果，这项技术或将有助于降低对中国市场对HBM技术的依赖，并增强国内AI大模型推理性能，推动中国AI生态系统的完善。
