存储大厂SK海力士与闪迪官宣合作

近日，SanDisk（闪迪）宣布与SK Hynix（SK海力士）签署合作备忘录（MOU），双方将共同制定“高带宽闪存”（High Bandwidth Flash，HBF）技术规范，并推动标准化，为存储器市场注入新变量。

HBF是闪迪专为AI领域设计的新型存储器架构，结合了3D NAND闪存和HBM的特性，旨在满足大规模AI模型的存储和推理需求。

通过采用闪迪先进的BiCS NAND与CBA（Cu Bonding Assembly）晶圆键合技术，HBF将高层数3D NAND储存单元与高速逻辑层紧密堆叠，实现高带宽、低延迟且高密度的互连。

HBF最大的突破，在存储器堆叠结构并非全由DRAM组成，而是引入NAND快闪存储器为主要储存层。在需要长时间维持大型模型数据的AI推论与边缘运算场景中，HBF能有效降低能源消耗与散热压力，展现不同的优势。

HBF专为大型数据中心、小型企业和边缘应用中的AI推理工作负载而设计，旨在提供与高带宽内存(HBM)相当的带宽，同时以相似的成本提供高达HBM 8-16倍的容量。

闪迪的目标是在2026年下半年推出HBF存储器样品，而首批采用HBF的AI人工智能推理设备样品预计将于2027年初上市。

虽然目前AI市场仍以HBM为核心，但HBF有望凭借节能与散热优势，成为未来NAND重要发展方向之一，并有潜力在特定应用补足甚至改变现有存储器配置格局。

业界预期，凭借SK海力士与多家AI芯片制造商的紧密合作关系，HBF一旦完成标准制定，有望快速获得市场采用。

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