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在国产半导体产业蓬勃发展的浪潮中，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的化合物半导体，具有较大的禁带宽度（>2.3eV），与硅基半导体的应用场景有显著差别。其中，SiC主攻高压场景，适配新能源车电驱、光伏逆变器等；GaN主攻高频低损耗应用，适配5G基站、数据中心等。化合物半导体的产业链大致上可分为：上游——衬底/外延制备，中游——器件设计/制造/封装，下游——功率与射频器件集成。
目前在国产化的过程中，化合物半导体的核心技术挑战在于：
1.衬底缺陷密度控制难，外延片均匀性和稳定性待提升，整体良率不足；
2.关键设备（如高端MOCVD）依赖进口，精密加工技术是显著短板；
3.器件层面的可靠性不足；
广东大湾区紧跟国家战略规划，进行了全产业链的协同布局，从深圳宝安区这片化合物半导体的重地，到整个深圳，再到全国，化合物半导体呈现出迅猛的发展态势。
宝安区:化合物半导体与车规级芯片核心区
根据深圳市政府的公开资料，2024年深圳市集成电路产业总营收为2839.6亿元，宝安区约占1/3。宝安区形成了“设计-制造-封测-设备-材料”的全产业链条，拥有华润微、重投天科等龙头企业，以及景旺电子、中富电路等上市企业集群。石岩园区聚焦化合物半导体（碳化硅衬底/外延片），燕罗园区打造车规级芯片制造基地。依托广东新能源汽车产业、光伏、5G等需求，车规级芯片、功率半导体市场空间巨大。
重投天科半导体
公司简介：2020年由北京天科合达与深圳重大产业投资集团合资成立，专注碳化硅（SiC）衬底及外延片研发生产，总投资32.7亿元，是深圳化合物半导体材料核心项目。
核心技术：掌握6-8英寸碳化硅晶体量产技术，突破缺陷抑制、快速生长等工艺难点，良品率行业领先（授权专利110余项）。
主要产品：6英寸导电型碳化硅衬底及外延片，2025年产能达25万片，用于新能源汽车电控、光伏逆变器等领域。
市场竞争力：母公司天科合达全球市占率12.8%（2022年），国内市占率60%；产品量产迫使国际巨头降价50%，打破美日垄断。
润鹏半导体
公司简介：华润微电子2022年在宝安设立的12英寸晶圆厂，总投资220亿元，定位为深圳第二条12英寸芯片产线，2024年底投产。
核心技术：采用40nm以上BCD工艺（兼容CMOS技术），支持车规级芯片制造，整合IDM模式全链条优势。
主要产品：年产48万片12英寸功率芯片，用于新能源汽车、智能电网等高可靠性场景。
市场竞争力：背靠国内IDM龙头华润微，获国家大基金二期和深圳国资注资。
标谱半导体
公司简介：2011年成立，专注LED/半导体封测设备，总部位于宝安，东莞设有智能装备生产中心（总投资7亿元）。
核心技术：自研高速振动盘、影像控制系统，分光机精度达0.01mm，分选速度100K/小时（19Bin分选）。
主要产品：LED分光机、编带机、半导体封测自动化设备，适配MiniLED等小尺寸封装需求。
市场竞争力：国产封测设备中低端市场主力，性价比突出；已启动IPO筹备，技术替代国际品牌。
礼鼎半导体
公司简介：2019年成立，专注高阶封装载板，注册资本1.78亿美元，鸿海集团间接投资1693万美元布局先进封装。
核心技术：掌握高密度载板制造技术，支持FCBGA、面板级扇出封装（FOPLP），具备Chiplet产品量产能力。
主要产品：ABF载板、系统级封装载板，用于CPU/GPU等大算力芯片封装。
市场竞争力：技术对标国际龙头，服务5G/AI/车用电子领域；2022年营收12.4亿元。
英飞源
公司简介：2014年成立，聚焦电能变换核心技术，为全球领先的充电与储能系统解决方案商。2024年营收达5亿元，年增速30%。
核心技术：自研全SiC电能变换模块（效率97%+，功率密度提升66%）；独创立体液冷散热技术，电池寿命延长至8年；V2G智能控制算法支持车网实时调度。
主要产品：40kWSiC充电模块（市占率40%）、800kW液冷超充桩（落地超1万枪）、V2G双向充放电系统（市占率85%）、液冷储能PCS模块。
市场竞争力：2024年充电产品发货20GW，服务全球3500客户；与英飞凌合作开发1200VSiC MOSFET，加速海外市场扩张。
永源微电子
公司简介：2017年成立，2023年获英集芯科技A轮投资。专注功率半导体研发，属科技型中小企业。
核心技术：创新“拓饵系列”大电流方案：以6管并联替代传统12-24管结构，体积缩小50%且功率损耗降低；SGT MOSFET（屏蔽栅沟槽）技术，通过汽车行业质量管理体系认证。
主要产品：全系列MOSFET（平面/SGT工艺）、DC-DC转换芯片；新能源汽车空调压缩机功率器件。
市场竞争力：在新能源汽车空调压缩机的功率器件配套市场中，替代国外品牌部分份额，加速国产化替代；2023年联合行业头部企业发布涨价函，成本控制能力突出。
深圳市：全国规模第二，设计龙头领先，全链生态完备
2024年深圳集成电路产业营收达2839.6亿元，占全国总营收14.8%，仅次于上海。设计业占全国37%，华为海思、中兴微电子等企业引领创新。
产业链完整度方面，形成“东部硅基、西部化合物、中部设计”的空间布局，覆盖设计、制造、封测全链条。
应用方面，依托华为、比亚迪等下游巨头，构建“场景驱动创新”生态，AI、新能源车、AI眼镜等应用需求强劲，带动功率半导体、高算力芯片等细分领域增长。
目标2025年产值突破4000亿元，打造“AI+芯片+场景化”全球策源地。
基本半导体
公司简介：成立于2016年，专注于碳化硅（SiC）功率器件的全产业链研发。2025年向港交所递交上市申请，获博世创投、广汽资本等多轮投资。
核心技术：采用“3D SiC技术”降低器件表面电场，提升可靠性；外延技术可定制250μm厚低掺杂外延层，支持650V-10kV高压器件制造。SiC MOSFET导通电阻低至18mΩ（1200V/100A芯片），开关损耗减少40%。
主要产品：碳化硅二极管（650V-1700V）、MOSFET芯片、汽车级全碳化硅模块（如Pcore™6 1200V/200A），以及适配的驱动芯片（耐压8000V）。
市场竞争力：国内首条汽车级SiC模块产线（无锡基地），与广汽埃安签订长期采购协议，产品装车测试并提升新能源车续航。专利超200项，获“中国芯优秀技术创新奖”。
锐骏半导体
公司简介：成立于2009年，国家级高新技术企业及专精特新“小巨人”。主营功率半导体和数模混合IC，在深圳宝安、海口设有封测基地。2022年完成C轮数亿元融资。
核心技术：国内首家量产12英寸晶圆低压MOSFET平台，整合化镀、减薄、CLIP焊接等工艺，产品自主研发占比95%。
主要产品：高/中/低压MOSFET、肖特基二极管、电源管理IC，应用于大功率电源、光伏逆变及LED显示驱动。
市场竞争力：持有207项知识产权，国内12英寸工艺平台技术领先，具有创新封装技术，在快充领域占主导地位，LED驱动开关出货量全国领先。
方正微电子
公司简介：成立于2003年，2021年由深圳重投集团收购，转型化合物半导体制造。拥有龙岗基地（29万㎡厂房），建设化合物半导体智能工厂，目标2026年产能50万片/年。
核心技术：国内首家量产6英寸SiC MOSFET（良率95%），开发氮化镓（GaN）器件耐压超1200V。2025年推出750V/650V中压SiC MOS系列。
主要产品：SiC功率器件、GaN HEMT芯片、车规级功率模块（适配800V高压平台）。
市场竞争力：承担国家02专项，与北京大学共建联合实验室。获AEO海关认证，专利851项。
国创中心/深圳平湖实验室
研究所简介:国家第三代半导体技术创新中心（深圳）/深圳平湖实验室，专注SiC/GaN研发与中试，博士占比超30%，首席团队含60%海外专家。
核心技术优势:覆盖SiC/GaN全链条——SiC高压器件（轨道交通/电网应用）、GaN车规级15-1200V器件、材料生长（低成本衬底/外延）、自主TCAD仿真优化封装与散热。
主要产品和服务:分析检测、短周期快速封装、仿真设计服务，支撑新型电力系统等应用。
市场竞争力:全产业链能力（衬底→可靠性验证）、国内首个8英寸兼容平台（支持15kV SiC）、产学研协同（联培香港科大等高校）。
深爱半导体
公司简介：1988年成立，隶属深投控旗下赛格集团，华南唯一功率半导体IDM企业。2024年营收4.12亿元。
核心技术：IDM全链条能力，IPM模块技术，多芯片集成封装技术。
主要产品：LED驱动电路、DMOS、功率BJT、功率二极管。
市场竞争力：产品随“一带一路”打入印度、东南亚和欧洲国际市场，2020通过汽车质量管理体系认证，2023获“专精特新小巨人”认证。
深圳爱仕特科技
公司简介：2017年成立，国家级专精特新“小巨人”，专注碳化硅MOS芯片设计及车规级功率模块生产，2025年推出第四代SiC技术平台。
核心技术：第四代SiC MOSFET技术：导通电阻低至1200V/10mΩ，支持175℃高温运行，通过IATF16949及AEC-Q101车规认证。
主要产品：车规级功率模块DCS12系列（适配800V平台）、千安级工业模块（1200V/1000A），出口欧美车企供应链。
市场竞争力：2023年获新能源汽车核心技术奖，光伏逆变器采用其SiC器件后系统成本降20%+，打入头部车企电驱及充电桩市场。
中国大陆：化合物半导体加速追赶，局部领先
中国大陆在化合物半导体的光电子与射频领域已实现技术突破，但衬底、8英寸晶圆、关键设备等核心环节仍落后于国际巨头；
下游需求爆发驱动增长，新能源汽车（碳化硅渗透率2025年超30%）、5G基站（氮化镓射频器件）及AI硬件（人形机器人、数据中心）成为核心引擎；
政策与资本强力支持，2023年行业融资440亿元推动国产替代。发展潜力巨大，长期目标是2030年全产业链进入国际先进水平，国产化率超70%，成为与美国、日本并列的全球“第三极”。
东莞天域半导体
公司简介：2009年成立，中国首家专业碳化硅外延片供应商，2025年港股IPO估值152亿元。
核心技术：6/8英寸外延片量产技术（8英寸2024年量产），厚度均匀性偏差<2%，车规级良率超95%。
主要产品：导电型/半绝缘型碳化硅外延片，供应比亚迪、华为、英飞凌二级供应链。
市场竞争力：华为哈勃持股6.57%，2024年产能42万片/年（国内最大），以30.6%收入市占率居国内第一，占国内车规级需求40%。
山东天岳先进
公司简介：2010年成立，2025年A股市值268亿，港股招股中。
核心技术：6/8英寸导电型衬底量产（8英寸缺陷密度<0.5/cm²），成本比国际巨头低20%。
主要产品：4H-SiC晶圆（导电型/半绝缘型），供货特斯拉、比亚迪及博世等国际大厂。
市场竞争力：华为哈勃持股6.34%，车规级产品占比超60%，全球第二大碳化硅衬底供应商， 2024碳化硅衬底年产能42万片，导电型衬底全球市占率22.8%。
三安集成
公司简介：2014年成立于厦门，三安光电全资子公司，中国首家6英寸化合物半导体晶圆代工厂，聚焦碳化硅/氮化镓器件制造，总投资30亿元。
核心技术：量产6英寸SiC MOSFET（良率95%），开发1200VGaN器件；2023年突破氮化镓功放芯片技术，支撑5G基站应用（带宽提升30%，能效达65%）。
主要产品：SiC肖特基二极管（650V-1700V）、车规级全碳化硅模块、GaN射频功放芯片。
市场竞争力：全球基站GaN芯片份额约20%，获国家科技进步一等奖，与华为、广汽合作车载模块。
士兰微
公司简介：1997年成立于杭州，国内IDM龙头，布局硅基与化合物半导体，2023年获国家大基金49.6亿元增资。
核心技术：集成硅基IGBT与SiC工艺，量产650V/1200VSiC MOSFET，车规级模块适配800V平台。
主要产品：SiC功率器件、光伏逆变模块、新能源汽车电机驱动芯片。
市场竞争力：车规级模块进入比亚迪供应链，SiC产线良率超90%，专利851项。
天科合达
公司简介：2006年成立，全球头部SiC衬底供应商，深圳重投集团参股，北京与深圳双研发中心。
核心技术：掌握6-8英寸SiC晶体量产，缺陷密度＜0.5/cm²，衬底良品率国际领先。
主要产品：6英寸导电型SiC衬底（2025年产能25万片）、外延片（支持10kV器件）。
市场竞争力：全球市占率17.3%，国内市占率超60%。
长飞先进
公司简介：长飞光纤与安徽国资合资企业，2023年成立，总投资超200亿，建设碳化硅全产业链基地。
核心技术：国内首条8英寸SiC外延线，开发低阻衬底（电阻率＜0.02Ω·cm）。
主要产品：车规级SiC MOSFET（1200V/75mΩ）、光伏用SiC二极管。
市场竞争力：2024年产能达36万片/年，获新能源汽车OBC订单超10亿元。
英诺赛科
公司简介：2017年成立于苏州，全球首家8英寸GaN IDM企业，珠海/苏州双基地，当前8英寸晶圆月产能为1.3万片。
核心技术：8英寸GaN-on-Si晶圆制造，650VGaN FET导通电阻＜100mΩ，开关频率＞10MHz。
主要产品：40W-150W快充GaN芯片、数据中心服务器电源模块。
市场竞争力：全球最大GaN器件生产商之一，全球市占率超过40%，小米/OPPO核心供应商。
晶湛半导体
公司简介：2012年成立于苏州，专注GaN外延片，获华创投资，年产能20万片。
核心技术：8英寸硅基GaN外延片（厚度均匀性±2%），支持1200V高压器件。
主要产品：蓝宝石基GaN外延片、HEMT结构外延片（电子迁移率＞2000cm²/V·s）。
市场竞争力：车规级外延片通过博世认证，全球客户超300家。
云镓半导体
公司简介：2022年成立于杭州，聚焦GaN功率IC设计，获小米/OPPO战略投资，团队来自德州仪器/英飞凌等国际知名公司。
核心技术：集成驱动与保护的GaNSoC芯片，开关损耗降低40%。
主要产品：65W-240W智能功率IC、车载OBC控制芯片。
市场竞争力：快充芯片进入小米/OPPO供应链，2024年营收破5亿元。
中电科55所
研究所简介：中央直属军工骨干科研事业单位，总部位于南京，具有中国电科首席科学家4人、首席专家1人。
核心技术：
宽禁带半导体：突破SiC MOSFET全产业链技术，量产750V/150A、6500V/25A等大电流器件，车规级SiC模块通过车企认证；GaN技术聚焦射频领域，支持Ku波段（如PL-15导弹导引头）及5G基站应用。
射频微系统：主导有源相控阵T/R组件技术，应用于机载雷达及导弹系统。
主要产品：
军工领域：T/R组件（用于歼-10C/20战机雷达、PL-15导弹）、车规级1200VSiC功率模块（新能源汽车）。
民用领域：5G基站GaN射频模块、光伏储能SiC器件。
市场竞争力：
军工射频市场：T/R组件在机载领域市占率60%（不含主机厂），支撑国产战机升级。
民用市场：SiC MOSFET技术国际先进，车规模块实现国产替代；GaN射频芯片国产化率超30%，覆盖全球30%基站需求
燕东微
公司简介：1987年成立于北京，国有控股IDM企业，覆盖硅基与化合物半导体，2023年科创板上市。
核心技术：6英寸SiC生产线（良率90%+），GaN器件耐压＞650V，集成硅基BCD工艺。
主要产品：SiC SBD/MOSFET、GaN HEMT、光电传感器。
市场竞争力：车载模块获北汽/广汽认证，获汽车行业质量管理体系认证（IATF16949），专利超500项。
结语
深圳宝安的产业实践，昭示着国产化合物半导体从技术追赶到生态崛起的战略转型。在这一进程中，全产业链链协同布局、应用场景驱动与政策赋能，共同构成了产业突围的核心动能。
芯启未来，智创生态
