九峰山实验室，半导体技术再突破

近日，九峰山实验室在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。

这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为光电子器件产业化发展提供重要支撑。

磷化铟（InP）材料是光通信、量子计算等领域的核心材料，其产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。

九峰山实验室依托国产MOCVD设备与InP衬底技术，突破大尺寸外延均匀性控制难题，首次开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺， 关键性能指标达到国际领先水平，为实现6英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础。

九峰山实验室本次联合国内供应链实现全链路突破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着重要影响，也为产业链自主可控奠定了基础。

据官方介绍，九峰山实验室本次技术突破中6英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破，量产在即。未来，实验室将持续优化6英寸InP外延平台，推动下游产品验证，提升产业链自主可控能力，推动我国光电子产业升级。（文章来源：九峰山实验室）