#define VERINFO_ADDR_BASE (0x0800FF00) //存放FLASH的地址constchar Software_Ver[] __attribute__((at(VERINFO_ADDR_BASE + 0x00))) = "Software: 1.0.0";constchar Compiler_Date[] __attribute__((at(VERINFO_ADDR_BASE + 0x40))) = "Date: "__DATE__;constchar Compiler_Time[] __attribute__((at(VERINFO_ADDR_BASE + 0x60))) = "Time: "__TIME__;
主要是通过瑞萨官方编译工具e2 studio对.ld脚本文件修改，在Flash上划一小块出来，然后通过__attribute__实现。
具体步骤如下
1
首先在Flash上划一块出来，在e2 studio对.ld文件进行修改。工程路径如下图
2
fsp.ld文件中，memory选项，Add新的分区，这里直接指定起始地址和长度。
3
fsp.ld下，文本编辑，初始my_code（!rx），删除”!”
4
如下，编辑my_code
在文本编辑会自动创建代码如下：
5
为了避免可能出现的问题，最好修改Flash地址空间，因为到此时，my_code被包在Flash区，需要修改flash区地址。
首先，复制memory_regions.ld并改名到同一目录下，在fSP.ld文件文本编辑处include新复制的文件：
接下来，我们需要在memory_regions_my.ld修改Flash空间
同样，我们可以在此处设置my_code的起始地址和长度，在第2步新建的分区直接用起始地址和长度别名替代。
6
在主函数变量声明处，添加代码
const charbuff[16] __attribute__((section(".my_code "))) = {"1234567890abcdef"};
buff长度需与分区大小相同，否则会报错。
Build需要使用release。
7
编译完成后，查看如下：
推荐大家使用e2 studio help contents。
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