321层QLC NAND，宣布量产

SK海力士25日宣布，已完成321层2Tb（太比特）QLC NAND闪存产品的开发，并正式启动量产。

NAND闪存是一种即使断电也能保存数据的非易失性存储半导体。根据一个存储单元（Cell）可存储信息的多少（以比特为单位），分为SLC（单层单元，1比特）、MLC（多层单元，2比特）、TLC（三层单元，3比特）、QLC（四层单元，4比特）、PLC（五层单元，5比特）等规格。QLC意味着一个存储单元可以保存4个信息。

所谓“堆叠”是指将存储单元垂直堆叠，以此增加数据容量，这也是NAND竞争力的核心要素之一。

为了最大化本次产品的成本竞争力，SK海力士将容量提升至现有产品的两倍，开发出2Tb产品。

通常情况下，NAND容量越大，每个存储单元存储的信息越多，内存管理越复杂，从而导致数据处理速度下降。

为了解决这一问题，SK海力士将NAND内部可独立运行的单元——Plane，从4个增加到6个，使其能够进行更多并行操作。

因此，与前一代QLC产品相比，新产品的数据传输速度提升了100%，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%，数据写入的能效也提高了23%以上。

SK海力士计划首先在PC用SSD中采用321层NAND，随后逐步扩展至数据中心和智能手机产品。

此外，公司还将基于一次性堆叠32个NAND的封装技术，实现比以往高出两倍的集成度，并全面进军AI服务器用超大容量eSSD市场。

SK海力士NAND开发负责人、公司副总裁郑宇表表示：“随着本次产品的量产，我们大幅强化了大容量产品组合，同时也确保了价格竞争力。”

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