台积电美国封装厂，重要进展

台积电(2330)持续加快在美国布局，业界最新传出，台积电在美国所规划的两座先进封装厂(AP1、AP2)刚进入整地工程，预计于2026年下半年开始盖厂，目标2028年开厂启用。在制程规划上，AP1规划扩充最先进的SoIC及CoW，AP2则是锁定CoPoS，以因应当地生产AI、HPC芯片封装需求。

台积电先前表示，美国第三座晶圆厂(P3)将采用N2和A16制程技术，第四座晶圆厂(P4)也将采用N2和A16制程技术，第五座和第六座晶圆厂(P5、P6)则将采用更先进的技术。这些晶圆厂的建设和量产计划将依客户的需求而定，并计划在亚利桑那州兴建两座新的先进封装设施，以及设立一间研发中心，以完善AI供应链。

台积电有了美国第一座晶圆厂所累积的经验后，目前整体扩厂进度加速中，且相当顺利。业界最新消息指出，公司正计画美国第二座晶圆厂(P2)的B区提前导入2纳米制程(原本在P3)。而先进封装厂则位于P3对面、隔一道马路，原本预计2027后才要兴建，现在大幅加快到2026年下半年。

业界人士表示，封装厂建置速度相较晶圆厂来得快，以台积电旗下嘉义厂来看，该厂于2024年5月动工，一度挖到遗迹而喊卡，并发生工安意外、淹水等事件，但仍然会在今年第四季展开装机。美国封装厂已开始整地，预计明年下半年正式展开兴建，相关机台最快在2028年上半年陆续装机，同年底有望小量生产。

在制程规划上，AP1将导入SoIC、CoW，AP2则规划CoPoS。其中，SoIC是目前台积电已量产的封装技术中、最为领先的，并会与后段CoWoS、甚至到未来的CoPoS进行整合。目前客户除了有AMD已实现量产外，苹果、英伟达(NVIDIA)、博通等也都会在高阶产品采用。

台积电CoPoS技术虽刚起步、但势在必行，MoneyDJ早在今年6月抢先报导，2026年将设立首条CoPoS实验线，并落脚采钰(6789)；据悉，这部分主要是CoP段，而oS段则将直接交货予嘉义厂AP7，最快2028年底在该厂实现大规模量产。正因CoPoS要到2028年后才真正成熟，因此美国AP2再导入CoPoS，才是最适切的时机。

台积电在今年年初宣布增加投资美国千亿美元，其中包括新设2座先进封装设施，半导体高层接受记者电访分析，因应苹果、英伟达和超微等重要客户需求，台积电可能在美设CoWoS和InFO产线，整体先进封装建厂时间起码需要4年，台积电何时落实在美扩产，仍有待观察。

半导体高层指出，台积电在美设先进封装，需建立包括材料和测试等一套完整的供应链支撑，「不是那么简单」，但若成形，可能影响台湾既有的封装测试供应链发展。

台积电今天凌晨宣布计画增加1000亿美元投资美国先进半导体制造，其中包括新建3座晶圆厂、2座先进封装设施及1间研发中心，这是美国史上规模最大的单项外国直接投资案。台积电指出，相关投资致力支持客户，包括苹果（Apple）、英伟达（NVIDIA）、超微（AMD）、博通（Broadcom）和高通（Qualcomm）等美国人工智能（AI）和科技创新公司。

对于台积电规划在美新设2座先进封装设施，半导体高层接受记者电访分析，台积电目前在先进封装主要有3大技术，其中SoIC制程复杂度高、投资成本昂贵，目前量产规模较小，CoWoS量产已有规模，与InFO（整合型扇出）产线目前集中在台湾。

从客户角度来看，半导体高层分析，尽管超微是台积电SoIC先进封装的首要客户，但考量成本和量产规模等因素，台积电应该不会在美扩产。至于苹果可能需要台积电的InFO技术，而英伟达和超微对CoWoS需求孔急，不排除台积电在美国先扩充CoWoS和InFO先进封装产线。

从制程角度来看，半导体高层指出，台积电在美新设先进封装产线，需要技术成熟的金属凸块（metal bumping）产线为基础，例如CoWoS需要铜柱（Copper Pillar）封装技术，此外封装材料更需要完整供应链支撑，整体先进封装建厂时间起码需要4年，台积电何时落实在美扩产，仍有待观察。

此外，先进封装需要搭配专业的晶圆测试及成品测试厂，形成一套成熟的供应链体系。半导体高层分析，若台积电在美建立完整的封测产能，更需要测试厂同步合作，这也会影响台湾后段封测代工厂（OSAT）既有供应链的发展。

另一不具名封测业主管接受记者电访指出，台积电扩大投资美国，主要是因应地缘政治变数、以及考量客户实际需要后的决定。

他分析，台积电内部决策作风相对保守且谨慎，台积电事先应该有洽询过主要客户的意见和需求，评估客户实际产能需要，才做出在美国扩大投资的决策，应是经过深思熟虑的决定。

至于台积电规划在美国新设先进封装设施，对台湾后段封测代工厂商的影响，这名封测业主管表示，仍需观察是哪些先进封装技术项目在美落地，台积电在美扩产建厂投资需要时间，等待具体扩产项目确定，再评估影响程度。

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