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Digitimes 今日报道，长江存储科技有限责任公司（YMTC）正筹备进军 DRAM 制造领域，并探索与长鑫存储技术有限公司（CXMT）建立合作，聚焦高带宽内存（HBM）—— 这类高端 DRAM 通常与高性能 AI 加速器堆叠封装。这一动作正值 HBM 成为数据中心最炙手可热的组件，且中国政府加速推进内存自主化、减少对三星、SK 海力士、美光三大存储巨头依赖的关键时期。
双雄联手，同筑目标
在 GPU 与定制 AI 芯片的驱动下，HBM 已成为存储市场的增长引擎，这一趋势亦引发美国关注。美国工业与安全局（BIS）2024 年 12 月的新规明确将 HBM 纳入管制范围，并同步收紧芯片制造设备出口限制，本质上是在遏制中国获取 AI 计算核心技术的渠道。这一政策背景恰能解释为何市场预期 YMTC 与 CXMT 将展开合作。
从技术落地看，长鑫存储正加速突破技术壁垒。2024 年至今的行业报道显示，该公司已实现 HBM2 量产，并以加急节奏推进 HBM3 研发。多家国内媒体与研究机构预测其 HBM3 及 HBM3E 产品将于 2026-2027 年量产。分析师指出，尽管长鑫存储的技术进程较韩国龙头仍有几年差距，但其追赶速度显著加快。
长江存储的角色定位
在这一潜在合作中，长江存储的价值并非源于 DRAM 技术积累，而是键合工艺 expertise。其自主研发的 “Xtacking” 架构（被 TechInsights 称为混合键合技术的领先实践）已用于 3D NAND 量产多年。随着 HBM 行业为提升带宽与散热性能而逐步转向混合键合技术（尤其在堆叠层数增加的场景下），长江存储的工艺积累显得尤为关键。
与此同时，国内 HBM 封装产业链也在加速构建。路透社 2024 年报道显示，包括长鑫存储、武汉新芯在内的中国企业正开发 HBM 封装技术，通富微电已涉足封装测试环节。当先进封装成为 HBM 产能释放的关键瓶颈时，晶圆厂若想规模化生产，外包封装测试几乎成为必然选择。
值得注意的是，此类产业布局并非孤立事件。美国对中国晶圆厂的管制持续升级，台积电南京厂近期失去快速审批资格的消息，再次印证美国正通过更精细、耗时的出口许可制度，系统性阻碍中国先进半导体制造能力的提升。
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