长鑫存储重大突破！

最近国内存储发展可谓气势如虹，除IPO进程不断加快之际，产品迭代、产能扩张层面也捷报频传。

10月25日，第十六届IEEE 2025 ASICON会议在昆明召开，在这场重量级学术会议上，国内DRAMjutouq长鑫存储带来了一个里程碑式的消息——正式推出LPDDR5X系列产品。

国产LPDDR5X速率突破10677Mbps

在会议技术报告中，长鑫存储代表披露，公司最新推出的LPDDR5X系列产品，覆盖12GB、16GB、24GB、32GB等多种封装容量方案，速率区间从8533Mbps、9600Mbps到10677Mbps，性能指标直追国际一线厂商。

更令人振奋的是，发言人表示部分LPDDR5X产品已实现量产。这意味着国产高端移动内存正式步入全球高端应用供应链。

这是继2023年11月28日长鑫存储宣布推出LPDDR5系列DRAM产品正式进军移动终端市场的又一重大突破。

作为对比，JEDEC在2023年7月正式发布LPDDR5X标准后，三星在2024年8月率先量产，海力士紧随其后于2024年10月宣布量产速率10667Mbps产品。

如今，长鑫成为全球第三个实现量产LPDDR5X的厂商，进一步填补了中国在这一关键存储领域的空白。

持续封装创新助力突破

LPDDR5X的推出也表明封装创新正成为国产移动产业链破局的关键抓手。

在名为《Low Power DRAM Interface Evolution and Challenges》的技术分享中，长鑫存储分享人Kevin Gao介绍了目前低功耗产品在带宽、电压、时钟树设计、封装及系统架构方面的一些趋势。

目前行业内比较主流的封装方式一个是POP封装，此前长鑫存储官宣的LPDDR5则是基于此封装形式的产品。POP（Package on Package）封装是一种高密度三维堆叠封装技术，主要用于将逻辑芯片（如处理器/AP）和DRAM存储芯片垂直堆叠在同一封装内，显著节省PCB空间并提升性能。

另一种是MCP封装，MCP封装是传统多芯片封装，通常将同类芯片（如多颗DRAM或NAND闪存）或简单组合（如DRAM+NOR Flash）集成在一个封装内。

MCP封装的升级版则是uMCP，强调异构集成和通用性，通常将DRAM、NAND闪存与UFS控制器集成在一起，形成完整的存储子系统，可直接作为更高性能的存储模块支持高速接口标准。

但由于DRAM和UFS产品需绑定封装，影响了灵活性，也带来了测试周期长、整体良率提升难度大等问题。对此，长鑫存储开发的uPoP封装则可助力国内智能手机厂商实现闪存和内存的分开生产及组装。

Kevin在演讲中还提及了长鑫存储目前正在开发的HiTPoP封装技术，这个封装技术严格遵循JEDEC制定的焊球布局标准，确保与现有主板设计兼容，但通过减薄技术，有望改善因SoC温升导致的DRAM高速IO性能瓶颈。

虽然分享并未透露更多的技术细节，但这一技术如果成功量产，无疑会助力国产LPDDR5X继续突破性能瓶颈。

LPDDR5X采用率呈指数级增长

LPDDR5和DDR5虽然都为“第五代DDR”，但两者应用方向、架构设计、性能特点不同，DDR5是为台式机/服务器设计的高吞吐大带宽内存，LPDDR5是为移动设备设计的低功耗高能效内存，凭借其高带宽和低功耗特性，已成为智能手机、平板电脑、智能汽车等智能终端设备的核心组件。

随着AI应用对存储性能要求提升，LPDDR5/5X的市场需求持续攀升，尤其在服务器和企业级SSD领域增长显著。

以英伟达Vera CPU的LPDDR5X需求为例，Vera采用SoC架构，每颗CPU集成32颗LPDDR5X模块，远高于Grace CPU（16颗LPDDR5X），带动LPDDR5X采用率呈指数级增长。

需要指出的是，LPDDR5X相较上一代LPDDR5拥有显著性能提升——速率提升30%，功耗降低约20–30%，进一步推动其在高端设备中的应用。

但目前受限于产能分配，市场供需矛盾短期内难以缓解。 ‌长鑫LPDDR5X的推出，将极大增强国产旗舰终端的供应链自主性，为智能手机、AIoT等领域提供更强劲的存储和能效支撑。

长鑫技术版图持续扩张

自成立以来，长鑫存储已陆续推出DDR4、LPDDR4X、LPDDR5、DDR5等产品系列。此次LPDDR5X发布，意味着公司已在移动端与PC/服务器端形成完整覆盖的产品矩阵。

这不仅是一次技术迭代的跨越，更代表中国DRAM产业链的集体跃升。

据TrendForce预测，长鑫存储2025年底DRAM产能将达30万片/月，同比增长近50%；其中DDR5市占率预计将从年初的1%提升至7%，LPDDR5系列市占率则有望从0.5%跃升至9%。

在资本层面，长鑫科技IPO进程也正在提速。10月10日，证监会官网显示，长鑫科技已完成IPO辅导工作，长鑫存储作为其全资子公司，也将凭借资本助力，进一步强化技术投入与产能扩张，推动国内高端存储器加快自主可控进程。

随着AI服务器与终端算力需求爆发，正推动存储市场进入持续至少两三年的超级大周期。兴业证券指出，全球DRAM平均售价（ASP）在2025年三季度环比上涨10–15%，预计四季度将继续上涨8–13%；而LPDDR5/5X价格涨幅更高，达到15–30%。

这意味着长鑫LPDDR5X量产正逢其时，不仅有望快速切入国产智能手机及汽车客户，也有望在新一轮涨价周期中显著提升盈利能力，为未来发展提供充足的“弹药”。（印科技）