武汉光谷化合物半导体产业创新街区迎两大新进展

近期，湖北武汉光谷化合物半导体产业创新街区（以下简称“创新街区”）迎来两大新进展。

光谷化合物半导体产业创新街区结构规划

图片来源：中国光谷

其一，湖北九峰山创新街区投资有限公司揭牌成立，该公司将作为实施主体，全面负责创新街区的规划、建设、投资、运营、服务等工作，这标志着创新街区进入全面建设阶段。

其二，创新街区各项工作正在紧锣密鼓开展中，部分项目已初见成效。其中，化合物半导体孵化加速及制造基地项目主体结构已封顶，预计于2026年9月30日前建成投用。

该基地是创新街区十个重点项目之一，主要孵化培育化合物半导体产业链企业，总投资17亿元，其中2/3以上用于打造千级/百级超净洁净室、高效冷却设备、超纯水处理系统、大宗气体系统等半导体生产公共基础设施。

近年，湖北积极发力化合物半导体产业。湖北省政府印发的《加快“世界光谷”建设行动计划》提出，光谷将致力于打造全球化合物半导体创新中心。今年4月，武汉东湖高新区宣布将布局化合物半导体产业，打造千亿元创新街区。

资料显示，创新街区北至九峰一路、南至高新大道、西至光谷六路、东至未来二路，面积约14平方公里，打造以九峰山实验室为“科技创新核”，集产业发展融合区、产业发展赋能区、尖端人才聚集区为一体的“一核三区”格局。（文章来源：集邦化合物半导体）