芯德半导体TGV技术取得突破性进展

在后摩尔时代，半导体工艺逼近物理极限，2.5D/3D封装成延续摩尔定律的关键，中介层作为芯片“桥梁”影响重大。传统硅基中介层性能佳但成本高(占封装成本30%以上)、工艺难；有机中介层成本低但高频损耗大，且热膨胀系数较高，翘曲较大，难满足高密度互连需求；而基于TGV技术的玻璃基中介层，凭借优异射频性能、低膨胀系数(匹配性好)、高机械强度及成本优势，成下一代先进封装核心材料。虽国际巨头已布局，国内此前未量产突破，但其在HPC、AI、5G等领域潜力巨大，未来有望成高端封装主流，推动行业革新。

芯德半导体凭借在2.5D封装领域的深厚技术积淀，持续深耕创新。近期，芯德半导体与东南大学史泰龙团队联合研发的晶圆级Glass Interposer 2.5D扇出型封装技术取得突破性进展，相关技术指标均精准达成封装设计需求。本次流片的首颗样品为面向AI加速芯片的2.5D集成模块，该模块包含1颗采用7nm工艺的国产GPU核心、4颗单颗带宽超460GB/s的HBM2E存储芯片，以及厚度为400μm的Glass Interposer互连层，整体架构为高性能AI计算提供了强大的硬件支撑。

仿真数据显示： 在相同频率下,TGV互连结构插入损耗均小于TSV；比特率增加，眼图指标绝大部分均恶化，TGV指标仍均优于TSV。

1、高精度TGV(Through Glass Via)工艺：实现直径62.5μm的微孔加工，深宽比达7:1，互连密度提升3倍；

2、超细线路RDL(再布线层)：线宽/线距≤2μm，支持10⁴I/O/mm²的高密度互连，满足HBM(高带宽存储器)集成需求；

3、低翘曲晶圆级封装：通过材料优化与低温键合技术，将300mm晶圆翘曲控制在<50μm，良率突破97%；

4、射频性能优化：玻璃介电损耗(Df)可低至0.004@10GHz，同样适用于5G毫米波、光通信等高频应用。