尽管之前的尝试面临重重障碍，但韩国三星仍在全力以赴，试图利用其下一代HBM4工艺赢得英伟达的信任和订单。
9月5日消息，据韩国媒体报道，三星已准备好与SK海力士和美光科技等公司展开“价格战”，特别是向英伟达提供具有竞争力的HBM4定价，以切入这家AI巨头的供应链。
作为全球半导体行业的领军企业，三星虽在DRAM领域拥有深厚积累，但在HBM这一AI核心组件上却屡屡受挫——此前未能获得英伟达的HBM3E供应资质，导致其在HBM市场的份额从2023年上半年的41%暴跌至2024年同期的17%，被SK海力士（62%）、美光（21%）远远甩开。
此次针对HBM4的“破局”行动，不仅是三星重夺HBM市场领导地位的关键，更是其应对AI时代业务增长瓶颈的“背水一战”。
为打动英伟达，三星祭出“价格战”这一“杀手锏”。消息显示，三星计划向英伟达提供的HBM4价格将比竞争对手低20%-30%，甚至愿意牺牲短期利润率以换取订单。
英伟达作为全球最大的HBM客户（其AI芯片需求占HBM市场的约60%），希望通过引入多家供应商来降低对SK海力士的依赖（SK海力士目前是英伟达HBM3E的独家供应商），并压低采购成本。
此前消息，SK海力士的HBM4工艺价格“溢价”，比HBM3E工艺高出30%-40%。而三星的低价策略恰好契合英伟达的需求——通过引入竞争，打破SK海力士的垄断地位，同时为自身争取更有利的供应条件。
在技术层面，三星已提前布局1c DRAM技术（第六代DRAM），这是其HBM4产品的核心优势——相比SK海力士、美光采用的1b工艺，1c DRAM能显著提升内存带宽与能效，更适合AI处理器的高数据处理需求。
此外，三星已获得ASML的High-NA EUV光刻机，这一先进设备将助力其提升HBM4的良率（目前HBM4良率已达50%-70%，较去年末的30%大幅提升），确保产品质量满足英伟达的严格要求。
在产能方面，三星计划大幅提升HBM4的产能，以满足英伟达的大批量订单需求。其位于韩国平泽的工厂已启动HBM4的预生产流程，预计2025年底或2026年初实现量产。充足的产能不仅能保障供应稳定性，还能通过规模效应进一步降低成本，为价格战提供持续支撑。
今年7月，三星的HBM4工艺交付给NVIDIA进行样品测试，并已通过“初始原型和质量测试”。预计，三星HBM4有望在11月前实现量产。
由于三星最近几个季度业绩低迷，获得认证对三星HBM业务而言是一个至关重要的突破，而加入英伟达的供应链或许能为其带来复苏。不过，三星能否获得英伟达订单或多大数量订单，还存在不确定性，其毕竟仍是英伟达与SK海力士价格谈判的筹码，而非唯一选择。
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