近日消息，三星正积极从ASML引进更多高数值孔径EUV光刻机，并计划将其融入本地生产体系。尽管这些设备价格高昂，但三星此举意在为公司带来关键优势，尤其是加速2nm GAA晶圆的生产进程。
2025年初，三星引进了首台ASML的High-NAEUV光刻机（如EXE:5000）。该设备价值约5000亿韩元（约24.88亿元人民币），并计划将其用于2nm及以下制程的制造。该设备的数值孔径提升至0.55，能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升芯片性能，是实现2nm及以下制程的关键设备。
不过，由于ASML的高数值孔径EUV光刻机成本高昂，即使台积电也不确定是否要升级采用这类设备，毕竟其现有设备有能力过渡到1.4纳米制程。
然而，有外媒报道称，三星斥巨资购置这些设备的目的是为了在2纳米GAA制程中占据优势。几个月前，这家韩国巨头在Exynos2600芯片的测试中，上述光刻技术的良率达到了30%。
台积电作为全球晶圆代工市场的领导者，在先进制程工艺方面一直保持着领先地位。此前，在3纳米芯片工艺上，三星全面落后于台积电，无论是芯片良率，还是客户导入上。
目前，台积电在2纳米节点首次采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，彻底告别了FinFET时代，在同等功耗下性能提升10~15%，或在同频下功耗下降25~30%，晶体管密度再增15%。这是全球首次把GAAFET推进到量产级别，技术难度与资本开支均以“百亿美元”为单位。
据悉，台积电2纳米制程芯片的初始月产能将集中在台湾新竹宝山与高雄两座工厂，2025年底月产能可达到4.5万~5万片左右，并计划在2026年将月产能提升到10万片以上。
与此同时，台积电拥有众多高端客户，包括苹果、高通、AMD等。这些客户对先进制程芯片的需求旺盛，为台积电提供了稳定的订单来源。三星虽然也拥有一些高端客户，但在客户基础方面远不如台积电。
值得一提的是，今年7月，三星电子与特斯拉达成165亿美元芯片制造协议，将采用2纳米芯片工艺生产特斯拉下一代核心芯片“AI6”，为三星2纳米芯片产能扩张给予了客户支持。
此外，三星已确认Exynos 2600将是该公司首款2nm GAA芯片组，而且最近又有报道称这款旗舰级SoC已开始量产。这是否意味着三星2nm GAA芯片工艺良率在近期又得到大幅提升？
根据一些行业经验，即使三星在财务上允许，但其2纳米芯片工艺良率至少需要达到70%，才能具备规模化量产的经济效益。
而如今，三星希望利用高数值孔径EUV光刻机在2纳米上扳回一局，特别是采购更多相关设备，就是希望最大限度地减少损失、提高良率，以便能够大规模生产自有芯片，同时向业界证明其在芯片领域的领先地位能够与台积电相媲美。
THE END
2025-09-07
2025-09-08
2025-09-06
2025-09-06
2025-09-05
