电子发烧友网报道(文/李弯弯)在光通信行业蓬勃发展的当下,数据量的爆炸式增长以及新兴技术如5G、人工智能等的快速推进,给光通信系统带来了前所未有的挑战。高速率、长距离的数据传输需求日益迫切,同时,系统对功耗、稳定性和可靠性的要求也愈发严苛。在这样的行业困境下,大功率DFB激光器芯片凭借其高带宽、低功耗等特性,成为满足高端应用需求、推动光通信技术突破的关键组件,在数据中心高速互连、人工智能算力基础设施等场景中发挥着不可替代的作用。9月10日,仕佳光子在投资者互动平台表示,大功率DFB激光器芯片是公司面向高端应用开发的重要产品之一,可应用于数据中心高速互连与人工智能算力基础设施等高带宽、低功耗需求场景。仕佳光子的大功率DFB激光器芯片,采用了先进的多量子阱(MQW)有源层与分布式反馈(DFB)光栅结构。这种设计不仅实现了高输出功率,还确保了激光的单色性和高边模抑制比(SMSR)。同时,这些芯片严格遵循RoHS标准,并针对Telcordia-GR468标准进行了优化,从而在可靠性和稳定性方面表现出色。下面详细介绍其三款具有代表性的产品。750μm 1310nm DFB激光器芯片750μm封装尺寸的1310nm DFB激光器芯片,是仕佳光子的一款明星产品。其峰值波长精准控制在1310nm附近,波长范围覆盖1300nm至1320nm。该芯片在25℃连续波工作条件下,阈值电流低至35mA,斜率效率超过0.35W/A,显示出优异的电光转换效率。同时,其输出功率高达110mW,足以满足长距离、高速率光通信系统的需求。在应用方面,该芯片凭借其高单色性(SMSR≥45dB)和优异的远场发散角(垂直24°,水平18°),在吉比特以太网、连续波硅光子学等领域大放异彩。其出色的性能有效降低了信号衰减,提升了传输距离,为光通信系统的高效运行提供了有力保障。1000μm 1310nm DFB激光器芯片相较于750μm版本,1000μm封装尺寸的1310nm DFB激光器芯片在保持相同峰值波长范围的同时,进一步优化了性能参数。其阈值电流降低至25mA(25℃连续波工作条件下),斜率效率提升至0.3W/A以上,显示出更高的电光转换效率。在输出功率方面,该芯片同样表现出色,连续波模式下可稳定输出高达70mW的光功率。即使在高温条件下(如70℃),仍能保持稳定的输出性能,满足不同环境下的应用需求。该芯片广泛应用于数据中心互联、城域网及长途骨干网建设等领域。其高输出功率和低阈值电流特性,有效提升了系统的传输容量和稳定性,为光通信网络的扩容升级提供了有力支持。1000μm C波段DWDM DFB激光器芯片针对密集波分复用(DWDM)系统设计的1000μm C波段DWDM DFB激光器芯片,是仕佳光子的另一款力作。该芯片工作在C波段,峰值波长精度高达±0.4nm,确保了多通道复用时的低串扰。其阈值电流在55mA至65mA之间,斜率效率稳定在0.28W/A至0.3W/A之间,展现出稳定的电光转换性能。在输出功率方面,该芯片可输出高达65mW至70mW的光功率,满足DWDM系统对光源功率的高要求。同时,其高单色性(SMSR≥50dB)和优异的波长稳定性,使得该芯片成为现代DWDM系统的理想光源。该芯片广泛应用于单TEC控制的DFB温度控制、硅光子学等领域。其出色的性能有效提升了DWDM系统的传输效率和可靠性,为光通信网络的智能化、高效化发展提供了有力支撑。声明:本文由电子发烧友原创,转载请注明以上来源。如需入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱huangjingjing@elecfans.com。更多热点文章阅读卫星通信商业化拐点:T/R芯片集成化+GaN赋能,迈入小型化特斯拉AI芯片战略升级,“史诗级”芯片接棒Dojo不是HBM,端侧AI的超高带宽DRAM!这些厂商发力堆叠方案!上半年国产模拟芯片强势复苏,厂商营收暴涨超100%博通获OpenAI“百亿大单”,AI芯片业务收入大增点击关注 星标我们将我们设为星标,不错过每一次更新!喜欢就奖励一个“在看”吧!