三星NAND，受挫！

三星电子在第九代（V9）大容量 NAND 产品的商用化进程中遇到困难。原本计划在去年下半年宣布首次量产，但目前因性能问题，正在进行设计和工艺层面的修正工作。随着 AI 产业的发展，大容量 NAND 的需求不断增加，业界呼吁三星必须加快市场响应。

据 ZDNet Korea 9月16日报道，三星已将 V9 QLC NAND 的正式商用时间，至少推迟到明年上半年。

三星的 V9 NAND 采用 280 层结构，去年 4 月开始首次量产，当时的产品基于 TLC（三比特单元）结构，实现了 1Tb（太比特）容量。TLC 意味着每个存储单元可以存储 3bit 数据。

随后在去年 9 月，三星宣布启动 V9 QLC NAND 的量产。QLC 可以在单个单元中存储 4bit 数据，相较 TLC 更有利于实现大容量存储器。

然而，据多位业内人士透露，三星在 V9 QLC NAND 商用化过程中遭遇了困难。早期产品因设计问题出现性能下降的现象。

因此，三星目前正在推进 V9 QLC NAND 的设计和工艺优化，预计最早将在明年上半年完成。与此同时，为扩大 V9 NAND 产能的设备投资也将在类似时间展开。目前，三星正在讨论在平泽和中国西安工厂进行 V9 NAND 的转产投资。尽管具体投资规模尚未确定，但由于平泽和西安已经部分引入 V9 NAND 的小规模生产线，总产能预计将大幅提升。

三星的 V9 QLC NAND 被业界视为影响其高附加值存储业务的重要产品。随着 AI 产业的发展，需要处理的数据量急剧增长，高容量产品需求呈现快速上升趋势。

然而，目前三星的主力 QLC NAND 仍停留在 V7 代，V8 NAND 并未推出 QLC 产品。

因此，虽然三星在整体 NAND 市场保持着第一的地位，但在 QLC NAND 市场却相对处于劣势。

根据 TrendForce 与 摩根士丹利 的调查，预计明年全球 QLC NAND 出货量中，三星的占比仅为约 9%；SK 海力士（含子公司 Solidigm）为 36%，铠侠及闪迪为 29%，美光约 17%。

一位半导体行业人士指出：“随着全球科技巨头的投资以及对既有传统 NAND 的替换需求增加，QLC NAND 的重要性正在凸显。若三星想要受益，就必须确保最先进产品的稳定量产与扩张。”

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