三星DRAM，疯狂扩产

三星电子正致力于确保1c（第六代10nm级）DRAM产能，以巩固其在下一代HBM（高带宽存储器）市场的领先地位。据了解，该公司计划于明年上半年完成其平泽第四园区（P4）1c DRAM设施的投资，并对包括P3在内的现有工厂进行投资转换。

据业内人士11日透露，三星电子计划于明年初开始投资最后一条P4量产线。

三星电子尖端半导体晶圆厂P4分为四个阶段（ph）。其中，P1（一条NAND和DRAM混合生产线）和P3（一条DRAM生产线）的投资已经完成。目前，P4的DRAM设施投资也正在进行中。

这些生产线将主要量产1c（第六代10纳米级）DRAM。1c DRAM是最新一代DRAM，三星电子计划在今年下半年实现量产。三星电子尤其渴望确保抢占产能，计划将1c DRAM用于其HBM4，并计划于明年全面实现商业化。

剩余的 PH2 洁净室计划最早于今年年底或明年年初开工建设。洁净室是控制生产线内污染和湿度的基础设施，将在量产设备投入使用前安装。虽然最终用途尚未确定，但业界预计 PH2 也将建成一条 DRAM 量产线。

一位半导体业内人士解释道，“三星电子正在积极扩大1c DRAM的产能，为HBM4的商业化做准备”，并补充道，“据我了解，NAND和代工的投资计划被推迟，因为没有足够的稳定需求来证明扩大产能是合理的。”

三星电子也正在华城17号线进行1C DRAM的转换投资，考虑到这一点，预计今年三星电子1C DRAM的产能最高可达每月6万片。

此外，预计明年上半年1c DRAM产能将继续扩大。这是因为P4工厂最后一条量产线的投资即将完成，而且1c DRAM的设施投资可以在现有的平泽园区内进行。

半导体业内人士表示，“据我了解，三星电子目前正在与合作伙伴讨论明年将投资转向P3等1c DRAM的计划”，“随着1c DRAM和HBM4的良率和性能迅速稳定，相关设施的投资也将加速”。

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