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台积电、三星电子与英特尔之间的先进制程领导权竞争日益激烈，因此，它们采购新设备的进度成为行业关注的焦点。
据韩国媒体《财经新闻》及国际媒体 TweakTown 报道，三星正考虑额外采购 ASML 的下一代高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻系统，以加速 2 纳米以下先进制程的量产。
三星旨在提升2 纳米 GAA 良率
分析师表示，这项战略投资旨在提高三星 2 纳米全环绕栅极（GAA）制程的良率。2025 年 3 月，三星已在韩国华城工厂引进 ASML 高 NA EUV 系统 EXE:5000，目前正评估采购更多该设备。
每台高 NA EUV 设备造价超过 3.5 亿美元，是当前 EUV 系统约 1.5 亿美元价格的两倍多。但这款下一代设备将透镜数值孔径从 0.33 提升至 0.55，可实现 2 纳米以下的超精细电路图形化，同时提高半导体生产的良率并降低缺陷率。
全球争抢ASML 下一代设备
全球半导体巨头正竞相争夺有限的高 NA EUV 供应。英特尔通过联合投资获得了 6 台 EXE:5200 设备的优先采购权；SK 海力士近期则宣布在京畿道利川 M16 晶圆厂安装 EXE:5200B 系统，成为首家将该设备用于生产的存储芯片制造商。
行业分析显示，三星 2 纳米试产良率目前在 30% 至 50% 之间，落后于台积电（已超过 60%）。三星希望通过扩充高 NA EUV 设备阵容缩小这一差距，提升生产效率并增强竞争力。
领导权压力推动三星发力
自 2024 年 11 月上任以来，三星晶圆代工业务负责人韩振万（Jin-man Han）已承认，尽管三星是首个完成 GAA 技术转型的企业，但商业化仍面临重大挑战。他将 2 纳米制程的快速量产列为公司首要任务。与此同时，台积电已于 2024 年下半年引进高 NA EUV 设备，以加速自身 2 纳米技术路线图。
韩国业界普遍预计，三星和台积电将继续扩大高 NA EUV 系统的部署，以维持在 2 纳米以下时代的竞争力。该设备由 ASML 独家生产，受荷兰出口管制限制，且年产量仅 5 至 6 台，凸显其稀缺性与战略重要性。
ASML 已宣布，EXE:5200B 将于 2025 年正式进入量产供应阶段，这意味着全球先进半导体技术的竞争将愈发激烈。
原文标题：
Samsung weighs new ASML High NA EUV purchases to narrow gap with TSMC in 2nm race
原文媒体：digitimes asia
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