EO Technics 将向全球三大存储器制造商之一供应晶圆切割设备。这一成就表明其使用超短脉冲激光无缺陷切割半导体晶圆的技术获得了认可。EO Technics 在此前由日本迪斯科主导的市场中快速发展，备受瞩目。据业内人士9月 8 日报道，EO Technics 正在与 SK 海力士合作，对其基于激光的晶圆切割设备进行性能评估。
一位知情人士表示：“该设备的性能已通过多个晶圆样品得到确认。评估完成后，预计最早在今年年底或明年年初即可供货。”
据报道，SK 海力士计划将该设备用于其下一代高带宽存储器 (HBM) 工艺。
通过加入SK 海力士的供应链，EO Technics 将成功向全球三大存储器公司之一供应晶圆切割设备。
三星电子此前已从EO Technics公司获得了开槽设备，该设备利用激光在晶圆切割过程中制造微小凹槽。三星目前已将该设备应用于其位于天安的先进封装生产线。两家公司已确认正在洽谈追加订单。
美光公司已将EO Technics的“Fullcut”设备引入台湾。该设备使用高能激光一次性切割晶圆，美光公司是首家使用该设备的客户。据报道，美光公司还计划增加开槽设备。
EO Technics的成功归功于其对晶圆切割方法转变的及时响应。此前，使用金刚石砂轮切割晶圆的刀片设备是主流。日本的Disco公司占据了最大的市场份额。
然而，随着电路尺寸的缩小和晶圆厚度的降低，现有方法面临局限性。刀片的机械切割会导致异物（颗粒）的产生率升高，从而影响微电路并降低半导体的良率。
晶圆厚度的缩减也产生了显著的影响。就高阶金属（HBM）而言，随着堆叠层数的增加，晶圆厚度会变薄，这使得刀片难以顺利切割。
刀片通常用于厚度超过100微米（㎛）的晶圆。存储器制造商正在制备的HBM4（16层晶圆）的晶圆厚度约为20㎛。
激光器在先进半导体工艺中的需求日益增长，因为它们可以最大限度地减少对晶圆的影响并提高良率。EO Technics瞄准这一市场，推出了其“飞秒”激光器，该激光器可在千万亿分之一秒内产生脉冲。
此外，EO Technics在系统半导体领域的经验，包括曾为领先的半导体代工厂台积电（TSMC）和外包封装测试（OSAT）公司安靠（Amkor）提供激光切割设备，这为EO Technics增强其技术能力奠定了基础。
一位业内人士表示：“随着先进半导体市场的增长，对激光晶圆切割的需求将进一步增长。虽然刀片仍然是主流，但预计重点将发生转变。”
