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10月23日消息，据台媒报道，随着技术节点进一步微缩 1.4 纳米（A14）及 1 纳米（A10），台积电面临新的制造瓶颈，该公司决定放弃采购单价高达 4 亿美元的 ASML 高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机。
理论上，采购荷兰 ASML 公司尖端的高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机是解决该问题的直接方案。然而，最新报道指出，台积电并未选择采购，而是决定采用“光掩模护膜”技术作为替代方案，以推进其 2 纳米等先进制程的研发与生产。
这项决策的核心考量在于成本。一台高数值孔径 EUV 光刻机的售价高达 4 亿美元，是一笔巨大的资本开支。该媒体指出台积电认为，该设备目前带来的价值与其高昂的价格并不匹配。
因此，公司选择了一条成本更低的路径，即在现有标准 EUV 光刻机上，通过引入光掩模护膜，保护光掩模在光刻过程中免受灰尘等微粒污染，从而实现更精密的芯片制造。
尽管光掩模护膜方案能够规避巨额的设备采购费用，但它也带来了新的技术挑战。使用标准 EUV 光刻机生产 1.4 纳米和 1 纳米级别的芯片，需要进行更多次曝光才能达到所需精度。
这意味着光掩模的使用频率会大幅增加，不仅拖慢生产节奏，还可能对芯片良率构成潜在风险。台积电需要通过大量的“试错”来优化生产的可靠性，这无疑是一场技术上的攻坚战。
台积电拒绝采购高数值孔径 EUV 光刻机的另一个原因，可能在于其供应量的限制。据了解，ASML 每年仅能生产五到六台此类设备。对于需要采购多达 30 台标准 EUV 光刻机以满足苹果等大客户庞大需求的台积电而言，将巨额资金投入到少数几台设备上，并不符合其长期产能规划。
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