半导体行业圈 振兴国产半导体产业！
据报道，三星投资约1.1万亿韩元购买ASML最新的High NA EUV光刻机——Twinscan EXE:5200B，其中一台将于2025年底交付，另一台将于2026年初交付。这将是三星在华城进行有限的研发部署后，首次将High NA EUV光刻机用于全面生产。同时三星计划加大对极紫外（EUV）光刻设备的投资，购买新一批EUV光刻设备。其中，存储部门将部署五套专用标准EUV设备，以建立独立生产线，三星位于平泽的晶圆代工厂和存储生产线此前曾共用EUV设备。数据显示，一套标准 EUV 设备的成本约为 3000 亿韩元（约合人民币 15 亿元），而一套 High NA EUV 设备的成本约为 5500 亿韩元（约合人民币 28 亿元）。因此，三星在 EUV 方面的总支出约为 2.6 万亿韩元，这也彰显了其在 2nm 晶圆代工领域的雄心。High NA EUV 光刻机是下一代芯片制造的关键技术，与传统 EUV 相比，它能提供 1.7 倍更精细的电路图案和 2.9 倍更高的晶体管密度，光学精度提升了 40%。它们能够生产出密度更高、更节能、性能更强大的芯片：这对于2nm代工工艺和先进的存储制造至关重要。
*免责声明：以上内容整理自网络，不代表半导体行业圈的观点和立场，仅供交流学习之用。如有任何疑问或异议，请留言与我们联系。
爆料｜投稿｜合作｜社群
文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通
投稿或商务合作请联系xd211ic
有偿新闻爆料请添加微信
xd211ic
