二、主要制造过程
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先进程度：最核心的指标是制程工艺（如7nm、5nm、3nm）。制程越小，性能越强，功耗越低。CPU/GPU是先进制程竞赛的主战场。
- 兆芯：主打x86架构CPU，用于PC和服务器，工艺相对落后（16nm/28nm）。
- 飞腾：ARM架构服务器CPU，用于政务、金融等领域。
- 龙芯：基于自研LoongArch指令集，用于国防、工业控制等关键领域。
- 寒武纪：专注于AI芯片（NPU）。
- 安路科技：FPGA厂商。
先进程度：主要看制程工艺、堆叠层数和接口速度。例如，DRAM的1α nm工艺，NAND Flash的200层以上堆叠技术。
- 长江存储：全球NAND Flash领域重要突破者，首创Xtacking技术，已量产200层以上产品。
- 兆易创新：全球NOR Flash市场的重要玩家。
3. 模拟芯片
描述：处理连续性的模拟信号（如声音、温度、电流），如电源管理芯片、射频芯片、音频放大器。
先进程度：不盲目追求制程，更看重可靠性、稳定性、功耗等。工艺多为成熟制程（如28nm及以上），但设计门槛极高。
4. 微控制器
描述：集成CPU、内存、IO的“小电脑”，用于家电、汽车、工业设备的控制核心。
先进程度：主要看内核性能（如ARM Cortex-M系列）、集成度、功耗和生态。多采用成熟制程。
- 兆易创新：国内32位MCU绝对龙头，产品基于ARM Cortex-M内核。
- 中颖电子：在家电MCU、锂电池管理芯片领域领先。
- 国民技术：提供通用MCU及安全芯片。
5. 传感器芯片
描述：将物理世界信号（光、运动、压力等）转换为电信号的芯片，如CIS、MEMS传感器。
先进程度：追求更高精度、更低功耗、更小尺寸。例如，手机CIS的像素尺寸和图像处理能力。
国内代表厂家：
6. 功率半导体
描述：用于电能转换和控制的芯片，如IGBT、MOSFET、SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）。
先进程度：追求更高耐压、更大电流、更高频率、更低损耗。是新能源汽车、光伏、风电的关键。
国内代表厂家：
二、按产业链分：设计、制造、封测
1. IC 设计
描述：负责芯片的功能、电路设计。
先进程度：设计能力（如CPU/GPU架构）、采用的制程节点（能否设计7nm/5nm芯片）。
国内代表厂家：海思、紫光展锐、兆易创新、韦尔股份、北京君正等。
2. 晶圆制造
描述：将设计好的图纸在硅片上实现出来，技术壁垒最高。
先进程度：核心指标就是量产制程工艺水平。目前全球最先进为3nm，国内最先进为7nm。
国内代表厂家：
- 中芯国际：国内绝对龙头，已量产14nm，传闻有7nm工艺能力，但受设备限制。
- 华虹半导体：专注于特色工艺（如嵌入式存储、功率器件），制程相对成熟但竞争力强。
- 合肥晶合：主要聚焦显示驱动芯片等。
3. 封装测试
描述：将制造好的晶圆切割成芯片，封装成最终产品，并进行测试。
先进程度：先进封装技术（如Chiplet、2.5D/3D封装） 是超越摩尔定律、提升芯片性能的关键。
国内代表厂家：
- 长电科技：全球第三、国内第一，具备各种先进封装技术。
- 通富微电：在先进封装领域实力强劲，是AMD等重要客户的核心封测厂。
- 华天科技：规模和技术也位居全球前列
三、国内芯片产业现状总结
设计业：实力最强，百花齐放。在众多细分领域（如手机SOC、CIS、MCU、NOR Flash）都出现了世界级的公司，海思曾达到世界顶尖水平。但高端CPU/GPU、EDA工具等仍是短板。
制造业：最大短板，追赶艰难。中芯国际代表了大陆最高水平，但与台积电、三星有2-3代的差距（约5-8年）。核心瓶颈在于无法获得最先进的光刻机（EUV），受到“瓦森纳协定”等外部限制。
封测业：与国际水平最接近。全球前十中有三家中国大陆企业，在先进封装领域也在积极布局，是产业链中竞争力最强的环节。
设备和材料：高度依赖进口，国产化急迫。光刻机、刻蚀机、离子注入机等高端设备，以及光刻胶、硅片等材料，仍主要被美国、日本、欧洲公司垄断。但中微公司的刻蚀机、北方华创的多种设备、上海微电子的光刻机（90nm）等正在努力突破。
总而言之，中国芯片产业呈现出“设计强、封测跟得上、制造和设备材料被卡脖子”的格局。 在“国产替代”的大背景下，整个产业链，尤其是在成熟制程和相关设备材料领域，正在加速发展，但攻克最先进的逻辑芯片制造技术，依然任重而道远。
