预计三星电子和SK海力士将在“SOCAMM”的供应方面展开双向竞争，该模块是一款低功耗DRAM，将用于NVIDIA明年的下一代AI加速器“Rubin”。随着SOCAM的供应（今年实际上被美光垄断）向韩国内存公司转向，这种格局的转变愈发明显。
据业内人士9月29日透露，NVIDIA近期已终止SOCAMM1项目，转而投入SOCAMM2项目，并将LPDDR5X订单分配给三星电子、SK海力士和美光。SOCAMM是NVIDIA与三家内存半导体公司（三星电子、SK海力士和美光）合作开发的低功耗内存半导体模块。通过将基于DDR的服务器模块替换为以低功耗著称的LPDDR5X DRAM，可将功耗降低多达三分之一。
NVIDIA 最初计划使用专为 AI 服务器设计的低功耗 SOCAMM1 模块。然而，由于技术问题和供应链多元化的需求，据信该公司已将重点转向新的 SOCAMM2 标准。
美光公司于 3 月份率先通过了 SOCAMM1 质量评估，但未能获得大规模订单。向 SOCAMM2 的过渡削弱了美光公司先前的优势，并缩小了三家内存公司在产品竞争力方面的差距。
据 Meritz Securities 的报告，NVIDIA 预计将为 SOCAMM2 预留 100 Gb 的 LPDDR5X 内存给三星电子，并为明年的 SOCAMM2 预留 110 亿 Gb 的 SK 海力士内存。随着订单规模逐渐明确，这三家内存公司都在加速 SOCAM 2 的 DPDDR5X 量产。据报道，美光公司是三家公司中规模最小的一家，预留了 70 亿 Gb 的内存。
三星电子长期以来一直占据LPDDR产品线的领先地位，并于今年6月宣布正在开发SOCAMM2。在三大内存公司中，美光拥有规模最大的生产设施，在确保供应方面占据先机。
随着SOCAMM成为其关键的成本竞争优势，业界预计1c纳米工艺的采用将成为关键因素。目前，三星电子将其1c纳米产能全部用于高带宽内存（HBM），但普遍认为，未来将扩展到SOCAMM及其他产品。SK海力士和美光也有望转向1c纳米工艺以降低成本。
考虑到质量评估期，SOCAMM2预计将于明年初开始量产。由于该模块可根据需要选择性地扩展内存容量，预计其采用率将逐步提升。
一位业内人士表示：“由于产能有限，与国内内存厂商相比，美光的订单量可能会相对减少。最终决定权在我们的客户NVIDIA手中，因此在实际产品商业化之前，我们需要密切关注事态发展。”
