随着DRAM半导体库存降至历史新低,分析人士指出,7年来首个“半导体超级周期”正在加速到来。近期,受AI热潮推动的HBM(高带宽存储器)需求激增、英伟达的供应商选择以及特朗普政府关税政策的影响,全球存储半导体产业发生了快速变化。然而,各种迹象均表明,DRAM需求正在上升,供应趋紧,市场预期这一长期超级周期可能会持续数年。
根据市场调研机构TrendForce的数据,截至今年第三季度末,全球DRAM供应商的平均库存为3.3周,创历史新低。这与2018年半导体超级周期期间的3至4周平均库存水平相近。虽然DRAM买家的平均库存大约有10周,但市场需求依旧强劲。
这波需求激增的起点在于AI。随着AI热潮兴起,英伟达用于AI训练和推理的加速器价值水涨船高,带动了安装在这些加速器中的HBM需求急剧上升。HBM通过像公寓一样堆叠和封装DRAM而成。三星电子等存储半导体公司已将部分DRAM生产线转向HBM,导致整体DRAM产量下降。此外,2017年至2018年间大规模建设的数据中心如今已进入服务器更换周期,进一步推动了这些服务器所需的通用型DRAM需求。同时,服务器中与DRAM一同搭载的企业级SSD(eSSD)需求也在飙升。
面对供应短缺,半导体企业并未急于提升产量,而是坚持长期投资。一位科技行业人士表示:“存在太多不确定性,比如特朗普发起的关税政策,因此我们从长期角度看待产能投资。”随着中国的长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC)进入HBM市场,DRAM产能已难以无限制扩张。
随着供应赶不上需求,价格持续上涨。根据TrendForce 29日的数据,通用产品“DDR4 8Gb”的价格不断上升,达到6.350美元,创下今年新高。“DDR5 16G”的价格为7.535美元,较年初上涨超过40%。据报道,三星电子和SK海力士计划将DRAM价格较此前水平进一步上调。
这种局面预计将在一段时间内延续。摩根士丹利预测,本轮半导体周期的高峰将在2027年到来,且繁荣期将持续一年以上。证券业界预计,三星电子和SK海力士今年第三季度的营业利润将突破10万亿韩元。KB证券分析师金东元表示:“三星电子被认为是半导体景气周期中最大的受益者,因为通过扩建平泽工厂,它能够在HBM、DRAM和NAND领域获得行业内最大的产能。”
存储半导体的短缺,反而在某种程度上成为对抗特朗普政府半导体关税的“武器”。一位科技行业人士表示:“如果特朗普设定高额半导体关税,美国企业在DRAM需求本就不足的情况下,将不得不以更高价格采购。”
参考链接
https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/09/29/GWQDNWLN6BGYNPCMYEYJ7Y3GFI/
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