图片来源：SK 海力士据报道，SK 海力士计划采用第六代 1c DRAM 节点生产 GDDR7 内存，潜在客户包括长期合作伙伴特斯拉与英伟达。该公司计划根据产品发布进度匹配产能，目标在 2026 年大规模提升 1c 制程 GDDR7 的产量。1c 制程 GDDR7 产能提升韩国媒体 DealSite 报道，SK 海力士拟于 2025 年底前在韩国利川市 M16 工厂启动基于 1c 制程的 GDDR7 量产，2026 年出货量将大幅增长。而就在一年前，即 2024 年下半年，SK 海力士才刚启动基于第五代 1b DRAM 制程的 16Gb GDDR7 量产。迅速转向 1c 制程，凸显出 SK 海力士急于超越三星电子的战略意图 —— 目前三星在 GDDR7 市场占据主导地位，且仍主要依赖 1b DRAM 制程。SK 海力士的 1c 节点是其 10 纳米级 DRAM 制程的第六代产品，在 1b 平台基础上采用新型材料并优化极紫外光刻工艺。这些改进不仅提升了成本竞争力，还使晶圆产能提高逾 30%。TweakTown 与 eeNews Europe 的报道指出，1c DRAM 可为数据中心降低至多 30% 的电力成本，且在 DDR5 与 GDDR7 品类中，运行速度均提升约 11%。这些性能与能效的提升，对 AI 及高性能计算负载至关重要。HBM4 成本推高 GDDR7 需求分析师指出，SK 海力士转向 GDDR7 这类通用 DRAM 产品，存在多重驱动因素，首先是第六代 HBM4 的成本持续攀升。由于 HBM4 的基础裸片需外包给台积电生产，其成本较自研自产高出 5 至 6 倍，整体成本较 HBM3E 上升约 30%。这种外包模式及复杂的封装工艺，使得 GDDR7 成为部分 AI 及图形处理负载的更经济选择。GDDR7 的需求同时也在增长：英伟达即将推出的 Rubin CPX GPU 将采用 128Gb GDDR7 而非 HBM，其面向中国市场的 B40 AI 加速器预计也将搭载 GDDR7。SK 海力士计划将技术成熟的 1b DRAM 产能保留给 HBM4，而将 1c DRAM 应用于 GDDR7 等产品，以扩大市场应用范围并巩固中长期竞争力。英伟达- 特斯拉订单争夺长期依赖三星供应 GDDR7 的特斯拉，据悉因三星难以满足英伟达日益增长的需求，正将合作兴趣转向 SK 海力士。目前特斯拉向 SK 海力士的实际订单量已在上升。英伟达的合作前景则更具不确定性。长期以来，三星一直掌控着英伟达的 GDDR7 供应，预计仍将保留大部分订单。SK 海力士计划在 2026 年上半年配合 Rubin CPX 的发布提升 1c 制程 GDDR7 产能，但分析师认为其在英伟达订单中的占比仍将有限。英伟达近期在行业展会上公布的技术路线图包含 Rubin CPX 与 B40 AI 加速器：面向中国市场的 B40 大概率将独家采用三星 GDDR7，而 SK 海力士预计将瞄准 2025 年底英伟达 B30A 的发布寻求合作。产能限制制约增长报道显示，SK 海力士并未期望 GDDR7 能带来显著营收增长。由于产能有限且仍优先分配给 HBM，即便 2026 年扩产，GDDR7 在 DRAM 总产量中的占比仍将受限。美光（Micron）因 HBM4 研发遇挫，已将大量产能转向 GDDR7 与 DDR5，以巩固其在通用 DRAM 领域的地位。美光在 2025 年中期季度报告中强调了这一战略调整，这为 SK 海力士 GDDR7 的长期市场份额增添了不确定性。三星的GDDR7 战略三星在 GDDR7 领域的领先地位源于其优化的 1b 制程技术及一体化制造模式。但目前三星的重心正转向 HBM 与定制化 GPU 订单，1d 节点升级仍处于研发阶段。这一局面或为 SK 海力士在对价格敏感的 GDDR7 细分市场创造竞争空间。原文标题：SK Hynix reportedly to begin 1c GDDR7 production in 2025, eyeing Tesla and Nvidia orders原文媒体：digitimes asia芯启未来，智创生态湾芯展2025与您相约！
