三星第三季度营业利润为12.1万亿韩元，远超分析师预期的9.70万亿韩元。
随着人工智能（AI）应用对算力的需求激增，服务器和高性能计算领域对高带宽内存（HBM）以及传统DRAM的需求出现大幅回升，直接推动了全球内存芯片价格的飙升。作为全球最大的内存芯片制造商，三星电子在这一波需求浪潮中受益显著，2025年第三季度的营业利润创下2022年以来的最高水平，且股价同步突破历史新高。
根据10月14日周二发布的一份初步财报，这家韩国最大的公司第三季度营业利润为12.1万亿韩元（约85亿美元），远超分析师预期的9.70万亿韩元。营收攀升约9%，至86万亿韩元。该公司将于10月30日提供包含净收入和各部门明细的完整财务报表。
这一强劲的业绩表现，极大地提振了市场信心。投资者对于AI服务器和内存芯片需求的持久性更为乐观。受其关键半导体部门复苏迹象的鼓舞，三星股价自6月初以来已飙升超过60%。通常，半导体业务会贡献三星年利润的50%至70%。
公司股价延续涨势，周二早盘在首尔市场一度上涨3.1%，创下历史新高。
三星业绩反弹的核心在于其半导体部门的复苏。
彭博分析师Masahiro Wakasugi指出，三星第三季度的DRAM利润可能因传统DRAM和高带宽内存（HBM）芯片的销售强劲而增长。同时，得益于AI需求，NAND芯片的利润可能也有所提高。
该分析师还补充说，公司显示器部门的利润可能因高端智能手机客户而增长，而移动部门的利润也可能因新款折叠手机的畅销而有所增长。
据悉，三星正积极调整战略，以抓住未来几年AI带来的巨大机遇。据悉，经过长达18个月的测试，三星的12层HBM3E终于通过了英伟达的严格审核。这一过程凸显了英伟达对高性能存储芯片的严苛要求，也反映了三星在解决早期版本热性能问题上的技术突破。虽然三星是继SK海力士和美光科技之后，第三家获得英伟达批准的供应商，但这一认证对三星而言具有重要的战略意义，有助于恢复其在 AI芯片供应链中的技术声誉。
三星HBM3E的成功，很大程度上归功于其对DRAM核心的重新设计。尽管英伟达的订单量可能相对较少，但此次认证无疑为三星在 高带宽内存市场上的竞争奠定了基础。英伟达的旗舰 B300人工智能加速器以及AMD的MI350等系统都将采用这种大容量存储芯片，这使得HBM3E的重要性日益凸显。
随着三星的归位，HBM4的竞争将在明年全面升温。
JEDEC于2025年4月正式发布了JESD270-4高带宽内存（HBM4）标准，该标准带来了多项核心技术革新。
比如，它将接口宽度从HBM3/HBM3E的1,024位扩展至前所未有的2,048位。通过此接口扩展，HBM4单个芯片堆栈的带宽可高达2TB/s，相较于HBM3E的1.2TB/s，实现了逾60%的性能提升。此外，HBM4将每个堆栈的独立通道数从16个增加到32个，每个通道再细分为两个伪通道，这显著提升了AI和HPC任务所需的并行处理能力与并发性 。
容量方面，HBM4支持4层到16层的堆叠配置，并采用24Gb或32Gb的裸晶密度。使用32Gb裸晶的16层堆栈，其单个内存立方体容量可达64GB，是HBM3容量的两倍。这种规模的扩展对于满足大型语言模型日益增长的内存需求至关重要。
HBM4市场的竞争格局主要由SK海力士、三星和美光三家核心内存制造商主导。
今年9月，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。
三星也正计划向英伟达大量出货HBM4样品，力争尽早获得认证。公司正在与英伟达、博通以及谷歌等主要 AI芯片厂商就HBM4进行洽谈，最早可以在2026年上半年开始大规模出货。如果三星能够在HBM4的竞争中尽早获得英伟达认证，有望在这一关键存储器细分市场上夺回市场份额。
美光表示HBM4E内存预计在2027年左右正式商业化，美光将在该世代提供行业标准型和客户定制型两类基础逻辑裸片解决方案以满足不同的需求，而定制型HBM4E有望带来更高的毛利率。
针对整体HBM销售和供应，美光已与几乎所有客户就2026年绝大多数HBM3E供应量达成价格协议，而美光的2026年HBM4供应谈判正在积极进行，有望在未来数月达成；美光的首批HBM4生产出货将在明年二季度实现。
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