一场静默却致命的技术泄密风暴，正在撼动韩国半导体产业的根基。
风暴中心——三星核心技术外泄事件全貌
韩国警方近日披露，三名三星电子前员工，包括一名高阶技术主管，因涉嫌向竞争对手非法泄露18nm DRAM制程核心技术，已被正式拘留。这起案件被检方认定为“近年来规模最大的半导体技术泄密案”，其影响之深远，已远超企业个案范畴。
据调查，这三名员工在离职后迅速加入一家未具名的竞争对手企业，并立即成为其第二阶段DRAM研发团队的核心力量。他们所携带的技术，属于三星最新10nm级DRAM工艺体系中的关键突破——18nm制程，是提升芯片密度、降低功耗与良率的核心工艺节点。
为研发此项技术，三星累计投入超过1.6万亿韩元（约合80.45亿元人民币），历时多年攻关。然而，这项凝聚数千名工程师心血的成果，却在短时间内被复制并用于竞争对手的产品开发。
韩国检方估算，此次泄密已导致三星2024年销售额损失高达5万亿韩元（约合251.92亿元人民币），且未来几年还将持续面临数万亿韩元的市场侵蚀。
更令人震惊的是，这三名前员工跳槽后的年薪暴涨至15亿至30亿韩元（约合754万至1508万元人民币），合同期长达4至6年，为其在三星时期薪资的3至5倍。检方认为，这种远超行业水平的薪酬安排，已构成“系统性技术收购”，涉嫌商业贿赂与有组织窃密。
行业镜像——全球半导体泄密潮与人才争夺战
三星此案并非孤例，而是全球半导体产业技术安全防线持续承压的缩影。在技术高度密集、竞争白热化的背景下，人才流动正演变为技术转移的隐秘通道。
2025年8月，台湾警方破获一起重大工业泄密案：
6名台积电工程师在任职期间试图窃取2nm制程关键技术资料，已被依法逮捕。 - 2024年，一名曾在长鑫存储等中国芯片企业任职的韩国籍工程师A某，因涉嫌向韩国机构泄露中国存储芯片机密，被中国警方逮捕。该人曾为三星电子芯片部门员工，2016年起在中国多家半导体企业任职，掌握多国技术动态。
近期，SK海力士也曝出内部泄密案：一名前员工在任职期间盗取包括“混合键合”（Hybrid Bonding）工艺在内的170项核心技术文件，资料总量达约5900页，随后流向海外公司。
韩国警察厅数据显示，过去五年间，共发生539起技术泄密案件，其中461起发生于国内，92起涉及海外。在涉外泄密案件中，半导体行业占比最高，达40起，远超显示、电池等其他高科技领域。
