受惠于人工智能（AI）产业的强劲发展引导，全球NAND Flash快闪存储器市场环境正快速改善当中，这一趋势直接推动了三星电子（Samsung Electronics）第八代（V8）NAND Flash的产线稼动率大幅攀升
根据ZDNet KOREA的报道，韩国半导体业界观察到，三星电子近期已显著提高了其位于平泽园区内的主力NAND Flash产线的稼动率。 V8 NAND Flash产线的稼动率在2025年第二季仍维持在60%至70%的平均水平。 然而，进入第三季之后，该生产线的稼动率已快速提升至80%的水平，这代表第三季的稼动率较前一季提高了超过10%。
在此同时，供应链活动也反映了产能的复苏迹象。 其中，用于制造相关NAND Flash的材料与零件订单量，从2025年年中开始也同步增加了数量。 对此，韩国半导体业相关人士指出，由于市场情况持续改善，下半年V8 NAND的库存出现急剧下降的情况，促使三星电子重新增加生产量。 业界预计，第三季的稼动率至少将维持在80%以上，且第四季市场预期也将持续保持。
V8 NAND是三星电子从2022年底开始量产的主力内存产品。 它的堆叠层数高达236层，目前与第六代（V6）NAND共同做为三星电子的核心产品线。 V8 NAND的生产能力估计约为每月10万片晶圆。 现阶段，市场上推动整体NAND Flash情况快速改善的主要动力，源于AI基础设施对储存设备的强劲需求。 目前NAND Flash需求的成长，主要由服务器用的企业级SSD领域所主导。
服务器用的SSD主要搭载QLC NAND Flash。 QLC的优势在于每个单元可储存4个位，相较于TLC仅能储存3个位，这更有利于在高容量储存设备的使用。 三星电子的V8 NAND Flash主要由TLC构成，主要用于消费级应用。 虽然QLC产品尚未发布，然而随着整个NAND Flash供应链转向SSD，据报道消费级SSD的库存正在迅速减少。 因此，三星电子的V8 NAND Flash虽然是间接间接于这一整体趋势，但市场改善带来的效应十分显著。
根据市场调查及研究机构TrendForce的分析，印证了这一趋势。 该机构预测，NAND Flash的平均销售价格（ASP）预计将在2025年第三季度和第四季度分别上涨约5%至10%。 价格提升的核心原因，在于存储器供应商在上半年实施的减产策略有效减少了库存，同时市场总体需求有所增加。
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