来源：内容编译自hankyung。
三星电子计划在明年上半年前投资约1.1万亿韩元，引进两台最新的极紫外（EUV）曝光设备（利用光在晶圆上绘制电路的设备）——荷兰阿斯麦公司（ASML）的“高数值孔径（NA）EUV”。该设备被认为对下一代晶圆代工厂（半导体代工）和高性能DRAM生产至关重要，因为它能够绘制比现有产品精细1.7倍的电路。
据业内人士15日透露，三星电子计划在年内引进一台最新的高数值孔径EUV（型号：Twin Scan EXE:5200B），并在明年上半年再引进一台。三星电子此前仅在京畿道华城园区安装了用于研发的高数值孔径EUV设备，这是其首次采购用于“量产”的高数值孔径EUV设备。
这套高数值孔径 EUV 系统由全球唯一一家 EUV 光刻机制造商 ASML 开发，其蚀刻电路的精细度比当前 EUV 设备高出 1.7 倍。
关键改进在于系统的数值孔径（衡量镜头聚光效率的指标），已从 0.33 提升至 0.55。
据业内人士称，每套设备成本约为 5500 亿韩元，使其成为半导体制造领域最昂贵的设备。
一位业内高管表示：“三星正在大力推进下一代工艺技术的突破。”
三星董事长李在镕对高数值孔径 EUV 的兴趣始于 2023 年 12 月，当时他访问了位于荷兰的 ASML 总部。
据报道，李在镕对 EUV 实现 2 纳米以下芯片生产的潜力印象深刻，因此指示工程师加快开发兼容的工艺技术。
消息人士称，三星决定引入最新设备进行量产，表明其工艺工程师已经达到了这一水平。
台湾半导体制造公司 (TSMC) 和英特尔公司等竞争对手的代工厂或合同芯片制造商正在测试该系统的研发版本，但尚未将其用于商业规模生产。消息人士称，除三星外，SK 海力士公司是目前已知唯一一家订购生产级高数值孔径 EUV 设备的芯片制造商，该设备于 9 月宣布订购。
三星是业内首家将传统 EUV 光刻技术应用于其 2018 年 7 纳米晶圆生产线的公司，随后又于 2020 年应用于 DRAM 生产。
新一代High NA 光刻技术代表了下一次飞跃，能够实现人工智能和数据密集型应用所需的先进芯片所需的超精确图案化。
消息人士称，三星计划在其 2 纳米晶圆生产线上部署新机器，该生产线已在生产 Exynos 2600 应用处理器。
他们表示，这家韩国芯片制造商还计划使用最新的 EUV 设备在 2 纳米晶圆生产线上生产和供应特斯拉公司的下一代人工智能芯片。
该工具还将支持三星未来的垂直通道晶体管 (VCT) DRAM 的生产，这是一种高性能、低功耗的内存芯片，计划于 2027 年左右量产。
分析人士表示，此举表明，在经历了一段时间的谨慎资本支出后，三星正重回积极的投资模式，以缩小与包括主导代工企业台积电在内的竞争对手的差距。
三星最近缩小了与 SK 海力士在下一代高带宽存储器 (HBM) 方面的性能差距，本周在圣何塞公布了将其即将推出的 HBM4E 芯片的数据速率提高到每引脚 13 千兆位每秒的计划，这比目前的行业产品更快。
正如一位驻首尔的半导体分析师所说：“在人工智能计算重塑整个芯片格局的时代，三星早期采用High NA EUV 可能是其重新确立逻辑和存储器领导地位所需的催化剂。”
参考链接
https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202510150011
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