韩国巨头，怒砸6万亿买光刻机！

SK海力士正在大规模引进极紫外（EUV）光刻设备。EUV光刻机是实现超微细半导体电路不可或缺的核心装备，公司计划到2027年引进约20台，使现有规模扩大一倍。这一动作被视为加强下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）制造能力的战略举措，大规模投资迫在眉睫。

据业内消息，SK海力士计划在未来两年内追加20余台EUV设备。目前公司持有的EUV设备（包括研发用）约为20台。如果计划顺利执行，未来两年EUV设备总数将实现翻番。

EUV设备价格极其高昂，每台价值在3000亿至5000亿韩元之间，且全球仅荷兰ASML一家能够生产。按单价计算，SK海力士此次投资规模预计至少在6万亿韩元以上。

这些设备将被陆续引进并分布安装在清州M15X工厂和利川M16工厂。M15X计划在今年底投产，将率先配置EUV设备；M16则会根据工艺转换（Tech Migration）的路线图逐步引入。

一位熟悉情况的业内人士透露：“SK海力士正在考虑提前启动新的EUV生产线，并与ASML保持紧密协商，以加快设备交付速度。”

EUV光刻机能够刻画10纳米级别的超微细电路，且由ASML垄断供应，全球半导体制造企业均需排队采购，设备获取极其困难。截至去年底，拥有EUV设备数量最多的是台湾台积电，其次是三星电子（韩国）、英特尔（美国）、SK海力士（韩国）和美光（美国）。

SK海力士自2021年在制造10纳米级第4代DRAM“1a”（约14纳米）时首次引入EUV后，逐步增加设备数量。如果再追加20台，公司将跻身全球EUV设备保有量前三，与英特尔相当甚至超过。

此次扩充背后，是公司在下一代DRAM及HBM上的战略考量。采用EUV能够刻画更精细的电路，从而提升单位晶圆的芯片产出，并增强能效与性能。预计将优先强化年底量产的HBM4用10纳米级第5代DRAM（1b）以及正在准备量产的第6代DRAM（1c）的制造竞争力，这些产品将成为公司明年的核心业务。未来，第7代DRAM（1d）以及更先进的10纳米级以下DRAM，也将导入EUV工艺。业内预期，SK海力士最快将在明年启动1d DRAM的量产转移。

此外，此次投资对国内外半导体材料与零部件产业也将产生巨大影响。仅设备采购就需超过6万亿韩元，而设备扩充必然带动EUV专用光刻材料与部件的需求增长，如专用光刻胶（PR）、清洗液（Rinse）等。目前SK海力士主要从JSR、杜邦、SK Materials Performance等公司采购EUV光刻胶，EUV清洗液则由默克（Merck）、YCChem等供应商提供。消息称，SK海力士已与合作伙伴就扩大材料与零部件供应展开讨论。

对于本次EUV投资计划，SK海力士回应称：“具体细节暂不便确认。”

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