近日，中国半导体装备产业迎来又一关键进展——深圳稳顶聚芯技术有限公司（简称“稳顶聚芯”）宣布其首台自主研发的高精度步进式光刻机（Stepper）成功出厂。作为国内少数实现正向设计、前道工艺适配与整机系统集成的光刻设备企业，稳顶聚芯的WS180i系列光刻机正式进入产业化阶段，标志着我国在成熟及特色工艺半导体装备自主化进程中迈出坚实一步。
精准卡位：聚焦化合物半导体与非硅基前道工艺
在全球光刻机市场被ASML、尼康、佳能高度垄断的背景下，高端DUV/EUV光刻机仍是国产替代的“深水区”。然而，稳顶聚芯并未盲目追逐先进逻辑制程，而是选择了一条更具现实意义的差异化路径：聚焦成熟制程下的化合物半导体与泛半导体前道光刻需求。
其WS180i系列设备主要面向mini/micro LED、光子芯片、功率器件（如SiC/GaN器件）、MEMS、射频器件等特色工艺领域，支持2至8英寸晶圆，分辨率覆盖1.5μm至0.35μm，套刻精度达约100nm，满足当前国内快速增长的第三代半导体产线建设需求。
这一战略定位精准切中了当前中国半导体产业的“痛点”：在逻辑芯片先进制程受限的同时，新能源、智能汽车、光通信、新型显示等新兴产业正推动SiC、GaN、蓝宝石等非硅基材料晶圆产能快速扩张，而适配这些材料的高精度前道光刻设备长期依赖进口，供应链安全风险突出。稳顶聚芯的入局，正是填补了国产光刻机在化合物半导体前道工艺领域的系统性空白。
“四个唯一”背后的技术自主化图景
稳顶聚芯宣称其为国内唯一实现正向研发、唯一专注前道工艺、唯一达到100nm级套刻精度、唯一实现前道光刻整机国产化与产业化的企业。这“四个唯一”虽具宣传色彩，但也折射出其在技术路线选择上的决心与差异化能力：
- 正向研发能力
：区别于部分企业通过逆向工程或集成国外模块的方式，稳顶聚芯强调从光学系统、运动平台到控制软件的全链条自主设计，具备底层技术迭代潜力； - 前道工艺适配
：设备支持大翘曲晶圆处理，适配Si、SiC、GaN、蓝宝石等多种基底，解决化合物半导体因热膨胀系数差异导致的良率难题； - 高产率设计
：通过高照度照明、大视场、高速传输与主动减振系统，提升单位时间产能，满足中试线向量产过渡的效率需求； - 量测与周边设备协同
：公司同步布局光学量测（精度10nm）、薄膜测量、晶圆传输、主动减振等配套系统，构建“光刻+量测+环境控制”一体化解决方案，提升整机稳定性与客户产线兼容性。
这种“整机+核心子系统”协同发展的模式，正逐步打破长期以来国产设备“卡脖子”于关键模块（如精密镜头、运动台、传感器）的困局。
产业意义：构建国产特色工艺装备生态的关键拼图
近年来，随着中芯国际、华虹等代工厂在成熟制程持续扩产，以及三安光电、士兰微、华润微等企业在第三代半导体领域加速布局，国内对28nm以上成熟工艺及特色工艺装备的需求持续攀升。而光刻作为前道七大核心工艺环节之首，其设备自主率直接决定产线安全与技术迭代能力。
稳顶聚芯的突破，不仅是单一设备的国产替代，更意味着中国正在构建一条独立于先进逻辑制程之外的半导体装备自主化路径——即围绕功率器件、光电器件、传感器等“非摩尔”赛道，打造从材料、设计、制造到封测的全栈本土化能力。
此外，公司位于深圳南山区，拥有2000㎡研发生产基地与高等级洁净环境，具备年产20台光刻机的初期产能，并计划在2025年实现1.4亿元营收与4480万元净利润。这一规模虽无法与国际巨头相比，但对于处于产业化初期的国产高端装备企业而言，已展现出较强的商业化落地能力。
尽管稳顶聚芯的进展令人振奋，但国产光刻机要真正实现“从0到1再到N”的跨越，仍面临挑战：如何通过大规模产线验证提升可靠性？如何与本土晶圆厂形成深度协同迭代机制？如何在软件算法、工艺数据库、服务响应等“软实力”上补齐短板？
未来，随着更多像稳顶聚芯这样的企业进入前道设备领域，中国有望在成熟制程与特色工艺赛道率先形成自主可控的半导体装备生态圈。而这，或许正是中国突破高端制造封锁、实现产业安全与高质量发展的关键突破口。
