高数值孔径光刻机，SK海力士首次导入

韩国记忆体大厂SK 海力士3 日宣布，已将记忆体业界首套量产型高数值孔径极紫外曝光机（High NA EUV）引进韩国利川M16 工厂，并举行设备入厂庆祝仪式。

SK 海力士表示，高数值孔径极紫外曝光机拥有比当前标准EUV 更高数值孔径，由于数值孔径是来衡量透镜汇聚光线能力的数值。因此，数值孔径越大，电路图案绘制的精密度越高。可进一步大幅提升解析度，优化绘制当前最微细的电路图案的过程，预计将在缩小线宽和提升整合度方面发挥关键作用。

设备入厂庆祝仪式，ASML 韩国公司总经理金丙灿、SK 海力士未来技术研究院长兼技术总管（Chief Technology Officer，CTO） 车宣龙、SK 海力士制造技术担当李秉起等领导共同出席，庆祝下一代DRAM 生产设备的引进。

SK 海力士指出，全球半导体市场竞争愈发激烈，成功构建快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。与合作伙伴的密切协作，提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。目前半导体制造公司为了提升产品性能和生产效率，微细制程最佳化尤其重要。电路图案制作越精密，每块晶圆可生产的晶片数量就越多，也有效提高能效与性能。

SK 海力士自2021 年首次在第四代10 奈米级（1a）DRAM 导入EUV 技术以来，持续将EUV 应用扩展至先进DRAM 制造领域。然而，为了满足未来半导体市场对超微细化和高整合度的需求，引进超越现有EUV 的下一代技术设备必不可少。所以，此次引进的设备为荷兰ASML 公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，是首款量产型High-NA EUV 设备，与现有的EUV 设备（NA 0.33）相比，光学性能（NA 0.55）提升40%，能制作精密度高达1.7 倍的电路图案，整合度提升2.9 倍。

SK 海力士强调，引进新设备简化EUV 技术，加速下代记忆体研发，确保产品性能和成本具竞争力，有望巩固高附加值记忆体市场的地位，并夯实技术领导力。

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