9月2日，高盛集团发布最新研究报告指出，尽管中国在半导体产业整体发展迅速，但在芯片制造的核心设备——光刻机领域，依然面临关键技术瓶颈。当前国产光刻机的公开技术水平主要停留在65纳米（nm）制程，与全球领先企业荷兰ASML相比，差距约为20年。
报告强调，光刻机是芯片制造流程中的“决定性环节”，其性能直接决定了芯片的制程精度和量产能力。目前，全球最先进的5nm及以下先进制程芯片，必须依赖极紫外光（EUV）光刻机进行生产；而面向未来的2nm及埃米级工艺，则需采用更尖端的高数值孔径（High NA）EUV光刻机。这些顶级设备目前全球仅有ASML具备制造能力。
然而，由于ASML的EUV光刻机依赖美国等国提供的关键零部件，美国政府得以通过出口管制手段，联合荷兰限制相关设备对华销售。这一禁令对中国半导体产业链，尤其是先进制程的发展造成了深远影响。
高盛在报告中分析，即便中芯国际等本土晶圆厂已实现7nm等效工艺的芯片量产，其生产过程大概率仍依赖ASML较早一代的深紫外光（DUV）光刻机，而非EUV设备。这表明，中国目前尚未掌握EUV及先进DUV光刻机的自主制造能力，设备核心组件高度依赖欧美供应链。
从技术演进路径看，ASML从65nm光刻技术发展到如今的3nm以下制程，历时约二十年，累计研发投入与资本支出高达400亿美元。高盛认为，考虑到中国当前的技术基础、所需的巨大资金投入以及全球半导体供应链的高度复杂性，国产光刻机厂商在短期内追平西方先进水平的可能性较低。
这一现实为中国实现高端芯片全产业链自主可控的目标设置了重大挑战。报告指出，突破光刻机“卡脖子”难题，不仅需要持续的技术攻关，更需要长期、稳定的资源投入和产业链协同，是一场不容急于求成的“科技马拉松”。
