俄罗斯科学院微结构物理研究所（通过Dmitrii Kuznetsov）公布了一项关于本土11.2纳米波长极紫外（EUV）光刻工具的长期路线图，这是对该组织去年12月所分享信息的补充。这个新项目从2026年开始，将使用40纳米制造技术，并延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。最新的路线图比之前的一些看起来更现实，但其可执行性仍有待证明。此外，即使该计划可执行，也可能不会用于商业目的。

最引人注目的第一点是，提议的EUV系统避免了复制阿斯麦（ASML）工具的架构。相反，该计划旨在采用一套完全不同的技术：混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片。选择氙而非阿斯麦EUV工具中的锡滴，可以消除对光掩膜有害的碎屑，从而大大减少维护。同时，与阿斯麦的DUV工具相比，较低的复杂性旨在避免用于先进节点的高压浸没式液体和多次图形曝光步骤。

该路线图包括三个主要阶段：

第一个系统，计划于2026-2028年推出，是一款支持40纳米的光刻机，具有两面镜物镜、10纳米的套刻精度、高达3 x 3毫米的曝光场，以及每小时超过5个晶圆的吞吐量。

第二阶段（2029-2032年）将引入一款28纳米（有潜力支持14纳米）的扫描仪，使用四面镜光学系统。它将提供5纳米的套刻精度，26 x 0.5毫米的曝光场，以及每小时超过50个晶圆的产量。

最终系统（2033-2036年）的目标是亚10纳米生产，采用六面镜配置，2纳米的套刻对准，以及高达26 x 2毫米的曝光场。它的设计吞吐量超过每小时100个晶圆。

在分辨率方面，这些工具预计将支持从65纳米到9纳米的范围，这与2025-2027年许多当今和未来关键层的要求相符。每一代都提高了光学精度和扫描效率，同时据推测与阿斯麦的Twinscan NXE和EXE平台相比，每单位成本结构显著降低。

值得注意的是，开发人员声称，使用EUV制造落后节点有几个意想不到的好处。然而，他们从未提及使用11.2纳米波长激光所带来的复杂性（不同的镜片、不同的镜片抛光工具、不同的光学器件、不同的光源、不同的电源、抗蚀剂，这只是其中的一小部分），这在EUV光刻技术中是一个非行业标准的波长。

完整的路线图

总的来说，该路线图可能概述了俄罗斯通过规避传统的EUV限制来实现芯片生产自给自足的计划。然而，这个计划的可行性尚不清楚，因为它将跨越整个行业，这一点尚未得到证实。

这些工具的目标不是为了超大规模晶圆厂追求最大吞吐量，而是旨在让小型代工厂以低成本采用。通过提供一种无需浸没或锡基等离子体、清洁、高效和可扩展的光刻系统，俄罗斯的平台也可能吸引目前被排除在阿斯麦生态系统之外的国际客户。如果完全实现，该项目可能以显著较低的资本和运营成本，为国内和出口用途提供先进的芯片制造。

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