中国存储芯片龙头长鑫存储的上市计划迎来重大进展，这家被誉为“中国存储芯片希望”的企业正加速冲向资本市场，有望成为A股“存储芯片第一股”。
中国内存芯片龙头长鑫存储计划最快于2026年第一季在上海进行首次公开募股（IPO），目标估值高达3000亿元人民币（约合421.2亿美元），计划通过此次IPO筹资200亿至400亿元。
这一消息是在长鑫存储完成IPO辅导工作后不久传出的。今年10月10日，证监会官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）IPO辅导状态已变更为“辅导验收”，历时约三个月的上市辅导工作正式收官。
一、IPO进程加速
长鑫存储的上市进程可谓快马加鞭。2025年7月7日，长鑫科技在证监会官网披露了上市辅导备案，正式启动IPO进程。
其辅导机构为中国国际金融股份有限公司和中信建投证券股份有限公司这两家国内头部券商。
辅导团队阵容庞大，达到34人，其中中金公司派出18人，中信建投组建16人小组，远超行业常规的5-15人配置。
如此庞大的阵容既反映了项目复杂性——长鑫科技业务链长、子公司众多，也体现了监管机构及市场对国产芯片龙头上市的高度重视。
到2025年10月10日，长鑫存储就已完成IPO辅导工作，历时仅约三个月，符合证监会2024年发布的“辅导期原则上不少于3个月”的新规要求。
按照IPO流程，完成辅导工作后，长鑫科技将进入招股说明书申报阶段。
二、技术发展
长鑫存储（前身为合肥睿力集成电路）于2016年成立，已成为中国在全球DRAM（动态随机存取记忆体）市场中建立立足点的战略先锋。
这一市场长期以来由日本、韩国和美国的企业主导。
长鑫存储是全资子公司长鑫存储技术有限公司为一体化存储器制造商，已建成并投产12英寸晶圆厂。
作为国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM（垂直整合制造）企业，长鑫存储在技术突破上持续发力。
2018年，公司成功研发出国内首颗8Gb DDR4芯片。
2019年9月，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的8Gb DDR4首次亮相。
2023年11月，长鑫存储正式推出面向中高端移动设备市场的LPDDR5系列产品，包括12Gb LPDDR5颗粒、12GB及6GB LPDDR5芯片，进一步丰富了产品矩阵。
其LPDDR5芯片为第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器，单颗粒容量和速率分别达12Gb和6400Mbps，较LPDDR4X提升50%，功耗降低30%。
三、股东结构
长鑫存储的股东阵容强大，形成了“国资引导+产业协同”的生态体系。
公司无控股股东，第一大股东合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙）直接持有公司21.67%股份。
国有资本在股东结构中占据重要位置：国家集成电路产业投资基金二期持股约9.8%，合肥市国资委旗下公司持股12.43%，安徽省投资集团持股8.88%。
产业资本方面，阿里巴巴、兆易创新、美的等巨头均位列股东名单。此外还有国寿投资、人保资本、建银国际、招商证券、阳光人寿、中邮人寿、湖北小米长江产业基金等股东。
2024年3月，公司最新一轮融资估值已达1508亿元。而在IPO辅导完成后不出两日，10月10日，长鑫科技又完成新一轮D+轮融资，合百集团参投基金合肥长鑫投资长鑫科技4.5亿元。
四、市场前景
存储芯片是半导体行业第二大细分领域，具备强周期性。AI驱动算力革命，正重构存储供需格局。
中研普华数据显示，2024年中国存储芯片市场规模达4600亿元，预计2025年将突破5500亿元。TrendForce预测，2025年全球存储芯片市场规模有望超2300亿美元。
在全球DRAM市场，三星（34%）、SK海力士（36%）和美光（25%）垄断了95%份额。中国厂商首次以量产玩家身份参与竞争，长鑫存储2025年Q1市场份额达6%，预计年底提升至8%。
尤其值得关注的是，长鑫存储正在积极布局HBM（高带宽内存）领域。
公司正在上海建设一座HBM后端封装厂，目标是在明年年底前开始投产。消息人士透露，HBM晶圆初期月产量将达到约3万片，略低于韩国SK海力士的五分之一。
长鑫存储的目标是在2026年开始量产第四代高带宽内存（HBM3）芯片。东方证券研报指出，公司计划于2025年底前交付HBM3样品，2026年全面量产，并于2027年开发HBM3E。
HBM作为一种特殊类型的DRAM，对研发先进处理器至关重要（例如英伟达用于生成式人工智能的图形处理器）。
2024年12月，美国为阻碍中国人工智能产业发展，限制长鑫存储获取HBM芯片。因此，长鑫存储在HBM领域的技术突破对中国而言变得愈发关键。
五、挑战与机遇
尽管长鑫存储技术进展迅速，但短期内仍面临诸多挑战。
技术代差是目前主要问题之一。长鑫存储尚未涉足HBM领域（SK海力士HBM市占率70%），18.5nm工艺落后于国际巨头的14nm及以下。
在专利方面，长鑫存储累计专利13449项，仅为国际巨头的零头，面临美光337调查风险。
盈利能力也有待提升，32%的毛利率远低于三星的61%，政府补助占利润53%。
此外，全球半导体周期波动可能影响盈利稳定性，供应链中关键设备依赖进口也是潜在风险。
不过，长鑫存储也面临着巨大的市场机遇。2025年以来，受DDR4产能收缩及HBM需求爆发影响，DRAM价格持续上涨。
TrendForce数据显示，第四季度DRAM价格环比涨幅预计达8%-13%，HBM涨幅可能突破18%。
与此同时，国内互联网企业加码AI基础设施投入——阿里计划三年投资3800亿元于云与AI硬件，腾讯、百度资本开支亦有增加，进一步推升服务器存储芯片需求。
随着AI时代对存储芯片需求的持续增长，长鑫存储的上市将进一步增强中国在全球半导体产业链中的话语权。其HBM项目的推进情况、产能扩张速度以及技术追赶进程，都将成为影响中国半导体自主可控能力的关键因素。
全球存储芯片市场长期以来由三星、SK海力士和美光三巨头主导，长鑫存储的崛起正悄然改变这一格局。
